1、CVD晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷何谓半导体?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 - W答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等 )和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。常用的半导体材料为何 u* k9 + D1 v1 U# f5 7 G答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 w o4 D何谓 VLSI b5 w; M# ;
2、b; ; 8 g3 P. G答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路 5 E3 U8 - t f9 答：做为金属层之间的隔离何谓 PMD(Pre-Metal Dielectric)答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质 5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b何谓 IMD(Inter-Metal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ?“ j% y7 O/ Q“ m; N, b答：金属层间介电质层。1 X8 g q a0 h3 k4 r“ X$ l. l何谓 USG?答：未掺杂的硅玻
3、璃(Undoped Silicate Glass): u0 F0 d! A M+ U( w/ Q何谓 FSG?答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)何谓 BPSG? D8 Y. P) X二氧化硅其 K 值为 3.9 表示何义 ( Y! 1 J! X+ P; b* _$ g答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的 3.9 倍 6 H9 v O5 U U“ R9 w! o$ 氟在 CVD 的工艺上，有何应用答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体 4 Z c答：半导体业通常用 Torr 作为真空的压力单位,一大气压相当 760Torr,低于 760Torr压
4、力的环境称为真空.真空 Pump 的作用？8 A8 x8 P: c“ _# q( T% X% 9 L: l答：降低反应室(Chamber)内的气体密度和压力何谓内部连锁(Interlock)答：机台上 interlock 有些属于保护操作人员的安全,有些属于水电气等规格讯号,用以保护机台.机台设定许多 interlock 有何作用?答：机台上 interlock 主要避免人员操作错误及防止不相关人员动作.: ) C; d# H% k7 e! G) RWafer Scrubber 的功能为何?答：移除芯片表面的污染粒子 6 D/ # 6 s9 S h. Z! X: Y) d, + L( G+ m
5、6 G8 l, D+ EETCH何谓蚀刻(Etch)? + ( Z( a5 H |# m答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。蚀刻种类:答：(1) 干蚀刻 (2) 湿蚀刻蚀刻对象依薄膜种类可分为:答：poly,oxide, metal半导体中一般金属导线材质为何?答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)9 / y% . R9 T0 l何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)? n- 9 - a2 _1 ) Y2 e将不要的薄膜去除* z* ) J8 Y B8 E$ . T L何谓电浆 Plasma?其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,
6、产生电浆的方法可使用高温或高电压. 3 Q J6 H1 j6 ?9 J0 w) u何谓干式蚀刻?答：利用 plasma 将不要的薄膜去除何谓 Under-etching(蚀刻不足)? 0 e* k7 Z1 s3 L: g答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 # Q何谓 Over-etching(过蚀刻 )$ i, F T! _ x/ / i4 w2 P# B答：将晶圆表面的水份去除) W/ R4 w: J4 列举目前 Wet bench dry 方法: M k2 , y答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor D
7、ry何谓 Spin Dryer2 ( o+ 0 o* Z答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓 Maragoni Dryer2 : r$ i“ c7 p; B答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除 7 Y“ _4 w; B$ t Y5 K( U; u$ U金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?答：清机防止金属污染问题金属蚀刻机台 Asher 的功用为何?答：去光阻及防止腐蚀- w2 N$ i“ 7 e- U N( G. Q用于 W 金属蚀刻的主要气体为$ f0 x d$ Q; ) |0 s答：SF6; 5 n, E3 e8 s* l何种气体为 oxide vai/contact ETCH 主
8、要使用气体?; x D0 e3 t8 H1 l9 n0 s- b答：C4F8, C5F8, C4F6硫酸槽的化学成份为:# C8 3 K% E# |; t3 T! L9 V1 _+ t答：H2SO4/H2O2. y | B. 8 E$ iAMP 槽的化学成份为:. G: K) _9 h# C% S答：NH4OH/H2O2/H2OUV curing 是什幺用途?答：利用 UV 光对光阻进行预处理以加强光阻的强度“UV curing“用于何种层次 ?0 N) D7 m+ w5 O9 _答：金属层, Z6 _7 z# X6 Y8 O5 F* * ?何谓 EMO?答：机台紧急开关 5 s. r- t8
9、 B9 x8 T! V! 7 S9 L1 T2 _EMO 作用为何?5 a7 c# j, V! A答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?7 X; t- O) N9 h答：(1) 警告 .内部有严重危险 .严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门 (3) 化学药剂危险. 严禁打开此门, x) P. w4 m, _, x, Y2 ?2 P. a遇化学溶液泄漏时应如何处置?答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试 . 并寻找泄漏管路. i3 v |% Q! K1 h% 遇 IPA 槽着火时应如何处置?答：立即关闭 IPA 输送管路并以机台之
10、灭火器灭火及通知紧急应变小组 $ T: A6 _ d$ F0 C) H, I. ( |答：利用涡轮原理,可将压力抽至 10-6TORR$ r2 s9 v F( c u; a* J5 C- X热交换器(HEAT EXCHANGER)之功用为何？ w0 W- |7 h* 3 ! D答：将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地 l3 C2 x“ D1 6 B4 ?! J7 w简述 BACKSIDE HELIUM COOLING 之原理？! A6 n: 9 y# _# * z答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化ORIENTER 之用途为何？ 2 f( K4 L! z6 N% K+ s
11、% e答：搜寻 notch 边,使芯片进反应腔的位置都固定 ,可追踪问题简述 EPD 之功用答：侦测蚀刻终点;End point detector 利用波长侦测蚀刻终点何谓 MFC？答：mass flow controler 气体流量控制器;用于控制 反应气体的流量GDP 为何?5 c3 B% g$ p: u( B答：气体分配盘(gas distribution plate)GDP 有何作用？答：均匀地将气体分布于芯片上方侧壁侧向蚀刻的机率均等何谓 anisotropic etch?- Q( w( V; e$ ! 8 “ p答：非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少何谓 etch 选择比?7 N/
12、 M D$ 7 t. R# h6 R% w答：不同材质之蚀刻率比值 F3 T% j9 l何谓 AEI CD?答：蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(Critical Dimension)9 U; Y2 K) d7 z$ $ E3 X何谓 CD bias?答：蚀刻 CD 减蚀刻前黄光 CD E, ; Y B6 n简述何谓田口式实验计划法?答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析何谓反射功率?9 F2 F ?7 v9 G“ Q答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受 ,会有部份值反射掉,此反射之量,称为反射功率Load Lock 之功能为何?答：Wafers 经由 loadloc
13、k 后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响.厂务供气系统中何谓 Bulk Gas ?答：Bulk Gas 为大气中普遍存在之制程气体, 如 N2, O2, Ar 等.8 h2 V; G R7 X厂务供气系统中何谓 Inert Gas?答：Inert Gas 为一些特殊无强烈毒性的气体, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等.“ U2 r8 b“ / Z! P, S: l厂务供气系统中何谓 Toxic Gas ?, E# r$ 4 t6 J! g答：Toxic Gas 为具有强烈危害人体的毒性气体, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等.机台维修时,异常告示排及机
14、台控制权应如何处理?答：将告示牌切至异常且将机台控制权移至维修区以防有人误动作 6 F 冷却器的冷却液为何功用 ?答：传导热 2 W“ + I. K- e0 p! C T3 n7 O( - H2 J. X! REtch 之废气有经何种方式处理 ?答：利用水循环将废气溶解之后排放至废酸槽 4 U; x6 D“ S. w! g8 Q何谓 RPM?答：即 Remote Power Module,系统总电源箱.火灾异常处理程序 3 % D b2 |/ _5 A, 7 J何谓日常测机% q: p/ o5 E z$ P答：机台日常检点项目, 以确认机台状况正常 8 D5 ! ?5 G% P何谓 WAC (
15、Waferless Auto Clean)答：无 wafer 自动干蚀刻清机何谓 Dry Clean0 h1 D- S+ K/ S; C7 a, 8 W, I% o“ 5 f答：干蚀刻清机日常测机量测 etch rate 之目的何在?答：因为要蚀刻到多少厚度的 film,其中一个重要参数就是蚀刻率操作酸碱溶液时,应如何做好安全措施?答：(1) 穿戴防酸碱手套围裙安全眼镜或护目镜(2) 操作区备有清水与水管以备不时之需(3) 操作区备有吸酸棉及隔离带如何让 chamber 达到设定的温度? - K6 d2 t: |答：使用 heater 和 chillerChiller 之功能为何?! j* v
16、6 2 R v; E5 i$ X: c答：用以帮助稳定 chamber 温度如何在 chamber 建立真空?3 O+ 3 s5 V( g$ $ F8 r* L. 答：(1) 首先确立 chamber parts 组装完整(2) 以 dry pump 作第一阶段的真空建立(3) 当圧力到达 100mT寺再以 turbo pump 抽真空至 1mT 以下真空计的功能为何?( r# i4 r z( * ?若未校正功率有可能会变化; 如此将影响电浆的组成为何需要对 etch chamber 温度做监控?答：因为温度会影响制程条件;如 etching rate/均匀度为何需要注意 dry pump e
17、xhaust presure (pump 出口端的气压)?2 V% b( z7 L造成 pump 跳掉,影响 chamber 的压力,直接影响到 run 货品质为何要做漏率测试? (Leak rate )7 n! % f# f$ q5 v/ 答： (1) 在 PM 后 PUMP Down 12 小时后; 为确保 chamber Run 货时, 无大气进入chamble 影响 chamber GAS 成份(2) 在日常测试时,为确保 chamber 内来自大气的泄漏源,故需测漏机台发生 Alarm 时应如何处理 ? P# v) W2 I a . D9 Q5 m. x# B答：Photoresis
18、t( 光阻). 是一种感光的物质，其作用是将 Pattern 从光罩(Reticle)上传递到 Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。7 C% k4 + j8 N何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。5 + X5 M7 L6 + X什幺是曝光？什幺是显影？答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将
19、曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。何谓 Photo?7 o) B! s, G) M! _, X6 C答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。/ _+ N M% l1 7 M! n! Z C) j# MI-line 与 DUV 主要不同处为何 ?答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line 主要用在较落后的制程（0.35 微米以上）或者较先进制程（0.35 微米以下）的 Non-Critical layer。DUV 则用在先进制程的 Critical layer 上。何为 Exposure Field?5 ! W8
20、d9 L* t0 G8 u# b答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域何谓 Stepper? 其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为 Step by step 形式, 一次曝整個 exposure field,一個一個曝過去- k- Q( O0 u3 J. _ d( 何谓 Scanner? 其功能为何?! ?8 n; J* z5 I z. c, g答：一种曝光机，其曝光动作为 Scanning and step 形式, 在一個 exposure field 曝光時, 先 Scan 完整個 field, Scan 完後再移到下一個 field.何为象差？答：代表透镜成象的能力,越小越好.2 i
21、g) _“ d“ x6 g* HScanner 比 Stepper 优点为何？答：Exposure Field 大，象差较小曝光最重要的两个参数是什幺？答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的 CD 值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。何为 Reticle?答：Reticle 也称为 Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。5 J _ a5 H“ I# m5 U何為 CR Ma
22、sk？8 F+ ! g f! U3 v, s- U% V$ j; I4 G0 O% |答：Wafer Edge Exposure。由于 Wafer 边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻 peeling 而影响其它部分的图形，因此将 Wafer Edge 的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。 ( H# % h C r# D( f% J2 F/ 8 yRUN 货结束后如何判断是否有 wafer 被 reject？- 9 n . j4 K. l答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan( J2 t* N8
