1、1第 1.2 课时教学内容：1、半导体的基本知识2、PN 结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、应用电路教学目标：知识目标：让学生了解半导体材料的基本结构及 PN 结的形成，掌握 PN 结的单向导电工作原理技能目标：能运用常用公式解题。情感目标：1.养成良好的学习习惯2.树立坚强乐学的意识教学重点：从半导体材料的基本结构及 PN 结的形成入手，重点介绍 PN 结的单向导电工作原理、教学难点：PN 结的单向导电工作原理教学准备：教学 PPT。教学过程：引述导入：今天我们来学习交流电路。板书课题：半导体的基本知识新授内容：1 半导体的基本知识1.1 半导体材料根据物体导电能力(电阻率)的
2、不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si） 、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B） 、磷（P） 、锢（In）和锑（ Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。半导体有以下特点：21半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间2半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。3在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。1.2 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三
3、价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。N 型半导体掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。P 型半导体 掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。在 N 型半导体中自由电子是多数载流子，在 P 型半导体中空穴是多数载流子.2 PN 结的形成及特性2.1 PN 结的形成：在 P 型半导体和 N 型半导体结合后，由于 N 型区内电子很多而空穴很少，而 P 型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。在 P 和 N 区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，就是所谓的 PN结。2.2 PN 结的单向导电性当外加电压使 PN 结中 P 区的电位高于 N 区的电位，称为加正向电压，
4、简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。PN 结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN 结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。3由此可以得出结论：PN 结具有单向导电性。2.3 PN 结的反向击穿当 PN 结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为 PN 结的反向击穿。反向击穿分为电击穿和热击穿，电击穿包括雪崩击穿和齐纳击。PN 结热击穿后电流很大，电压又很高，消耗在结上的功率很大，容易使 PN 结发热 ,把 PN 结烧毁。热击穿不可逆；电击穿可逆3 半导体二极管2.3.1 半导体二极管的结构在 PN 结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极
5、管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。(1) 点接触型二极管： PN 结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(2) 面接触型二极管： PN 结面积大，用于工频大电流整流电路。4(3) 平面型二极管：往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(4) 二极管的代表符号2.3.2 二极管的伏安特性(1) 正向特性：正向特性表现为图中的 段。当正向电压较小，正向电流几乎为零。此工作区域称为死区。V th 称为门坎电压或死区电压（该电压硅管约为0.5V，锗管为 0.2V)。当正向电压大于 Vth 时，内电场削弱，电流因而迅速增长 ,呈现的很小正向电阻。(2
6、) 反向特性：反向特性表现为如图中的 段。由于是少数载流形成反向饱和电流，所以其数值很小，当温度升高时，反向电流将随之急剧增加。 (3) 反向击穿特性：反向击穿特性对应于图中段，当反向电压增加到一定大小时，反向电流剧增，二极管的反向击穿。其原因和 PN 击穿相同。 2.3.3 二极管的参数(1) 最大整流电流 IF； (2) 反向击穿电压 VBR 和最大反向工作电压 VRM(3) 反向电流 IR；(4) 正向压降 VF；(5) 极间电容 CB4 特殊体二极管1 稳压二极管：稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。52 变容二极管变容二极管：结电容随反向电压的增加而减小的效应显著的二极管。3.光电
7、二极管4. 发光二极管(LED)5. 激光二极管作业： 习题集板书设计：1 半导体的基本知识1.1 半导体材料1.2 杂质半导体2 PN 结的形成及特性2.1 PN 结的形成：2.2 PN 结的单向导电性3 半导体二极管2.3.1 半导体二极管的结构2.3.2 二极管的伏安特性4 特殊体二极管.1 稳压二极管：2 变容二极管 3.光电二极管 4. 发光二极管(LED)5. 激光二极管课后反思：6第 3.4 课时教学内容：1、半导体三极管的结构及工作原理，放大电路的三种基本组态2.静态工作点 Q 的不同选择对非线性失真的影响教学目标：知识目标：让学生了解半导体三极管的结构、工作原理、特性曲线和主
8、要参数技能目标：能运用常用公式解题。情感目标：1.养成良好的学习习惯2.树立坚强乐学的意识教学重点：半导体三极管的结构及工作原理, 重点介绍三种基本组态放大电路的静态工作点、动态参数教学难点：三种基本组态放大电路的静态工作点、动态参数教学准备：教学 PPT。教学过程：引述导入：今天我们来学习半导体三极管。板书课题：半导体三极管新授内容：2 半导体三极管1.结构简介：半导体三极管有两种类型:NPN 型和 PNP 型。2.电流分配与放大原理三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。73. 三极管的三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，
9、用 CE 表示。共基极接法，基极作为公共电极，用 CB 表示。共集电极接法，集电极作为公共电极，用 CC 表示。三极管的三种组态4. 放大作用综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。特性曲线1. 输入特性曲线 constVBECfi|)(1) 当 时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。VCE08vCE = 0V vCE 1V(3) 输入特性曲线的三个部分：死区；非线性区；线性区2. 输出特性曲线放大区：
10、 iC平行于 vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。截止区： iC接近零的区域，相当 iB=0 的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压，集电结反偏。饱和区： iC明显受 vCE控制的区域，该区域内，一般 vCE0.7 V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。constiEBVfi|)(92 共射极放大电路1. 电路组成2. 简化电路及习惯画法3 简单工作原理共射极基本放大电路的电压放大作用是利用了 BJT 的电流控制作用，并依靠 Rc 将放大后的电流的变化转为电压变化来实现的。作业： 习题集板书设计：略：课后反思：10第 56 课时教学目的： 让学生了解共发射极、共集电极和共基极三种放大电路教学内容: 1、共集电极电路和共基极电路的工作原理2.三极管放大电路的频率响应教学重点：共集电极电路和共基极电路教学过程:共集电极电路和共基极电路.1 共集电极电路：该电路也称为射极输出器V CCRLReRbuiuo+-+-求静态工作点：电压增益：eCeECEBCebBECB RIVIVIRVI )1( 1)/)(1()/)(1( LebeLebeioV RrruA
