1、由吸收系数还是衰减系数的突变确定物质对X光的吸收边 ?,单质锆的吸收截面和波长的关系,由衰减系数确定吸收限,把原坐标系向下移动个常量单位，然后把纵坐标乘以常量倍,得到新的图像即是衰减系数与波长的关系 做以上变换是因为衰减系数图像考虑了散射截面的影响。 与原图像相比只是经过了纵向平移和纵坐标伸缩变换,图像的形状没有发生改变,对应的吸收边也没有发生变化,结论：透射率直观反映了X光的衰减情况，所以建议实验书上以衰减系数来定义吸收边。,吸收系数的突然增大是衰减系数突变的原因，所以是在固定的对应的波长处发生这一突变。考虑到我们在实验中也是通过透射率的突变确定吸收边，如下图所示,莫塞莱定律中的（X光的特征
2、谱）可以用吸收边来代替吗？,元素的标识谱 /特征谱如果把各元素的特征X射线的频率的平方根对原子序数作标绘，就会得到线性关系。,当n=1层中出现一个空穴时，n=2层中的电子感受到的是Z-1个正电荷的作用向内层跃迁时，发出X光辐射。产生KX射线的阈能大于KX射线本身的能量 。,什么是阈能？,只有入射粒子能量等于或大于某一阈值时，反应才能发生，这个阈值称为该反应的阈能。吸收系数在两侧有一个突变，它对应的能量是壳层移去一个电子所需的能量，也就是产生KX射线的阈能。,结论:可以用吸收边与原子序数的关系验证莫塞莱定律。,而KX射线的能量是电子从n=1到n=2层的能量差值，对应的是元素的标识谱。由NaCl晶
3、体衍射实验得到标识谱实验中求出钼的吸收边相差不是很大，约为2.8%,用电离腔探测X射线中，电容器极板间的电压为什么只有140伏，一直达不到要求的300伏特，问题出在哪里？,电压表的内阻为1M欧姆 !再测极板电压输出端的静电阻从1M欧姆到5M欧变化拆开极板电源的盒子，发现电压输出端的电阻为1M欧姆电阻和4M欧姆电位器串联,用内阻为1M欧姆电阻的电压表测量电位器转到最大（电阻5 M欧）时的电压，就会出现问题 !,当电源电压为450伏特，最大时输出端电压300伏特，并联了1M欧姆的电压表显示电压140伏特。这样就明白了原因在哪里。,如果用内阻较大（10M欧姆）的电压表测量，对原电路的影响可以忽略，问题就解决了。 现有器材精度并不理想实现了定性地测量得出了实验结论,极板电压较小时，I-U如欧姆定律一样成线性关系随着加在电离腔两端的电压UC增大，出现电流饱和。,X光的高压增加后，X光的光子总数和能量都增加了，所以饱和电流值上升第一图中的电压阈值比第二图中的大饱和电流的大小反映了入射到电离腔的X射线的电离效果，正比于X射线的强度故可以用此方法探测X射线的强度。,谢 谢!,
