1、广东工业大学课程设计任务书题目名称 pnp 双极型晶体管的设计学生学院 材料与能源学院专业班级 微电子专业 09 级 1 班姓 名学 号一、课程设计的内容设计一个均匀掺杂的 pn p 型硅双极晶体管，满足 T=300K 时，基区掺杂浓度为 NB=1016cm-3,共发射极电流增益 =50V。BV CEO=60V，设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响，假设经验参数为年 n=3)二、课程设计的要求与数据1了解晶体管设计的一般步骤和设计原则2根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度 NE, NB,和 NC, 根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。3根据主
2、要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度 Wb，发射区宽度 We 和扩散结深 Xjc, 发射结结深 Xje 等。4根据扩散结深 Xjc, 发射结结深 Xje 等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。5根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。7撰写设计报告三、课程设计应完成的工作1. 材料参数设计2.晶体管纵向结构设计3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形）4工艺参数设计和
3、工艺操作步骤5.总结工艺流程和工艺参数6. 写设计报告四、课程设计进程安排序号 设计各阶段内容 地点 起止日期1 教师布置设计任务，讲解设计要求和方法 教 1-414 2012.6.252学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体设计方案的制定图书馆工三 317 2012.6.263设计晶体管的各区材料参数和结构参数设计图书馆工三 317 2012 .6.274.教师集中辅导，分析材料参数和结构设计中存在的主要问题 教 1-414 2012.6.285 晶体管工艺参数设计，实验室教 1-4142012.6.29-2012.6.306 绘制光刻基区、发射区和金属化的版图实验室教 1-4142012.7
4、.12012.7.28教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主要问题实验室教 1- 414 20127.39 总结设计结果，写设计报告实验室图书馆 2012.7.410 写课程设计报告图书馆，宿室 2012.7.511 教师组织验收，提问答辩实验室2012.7.6五、应收集的资料及主要参考文献1 半导体器件基础Robert F. Pierret 著，黄如译，电子工业出版社，2004.2 半导体物理与器件 赵毅强等译，电子工业出版社，2005 年.3 硅集成电路工艺基础 ，关旭东编著，北京大学出版社，2005 年.发出任务书日期： 2012 年 6 月 25 日 指导教师签名：计划完成日期： 201
5、2 年 7 月 6 日 基层教学单位责任人签章：主管院长签章：广东工业大学课程设计任务书题目名称 npn 双极型晶体管的设计学生学院 材料与能源学院专业班级 微电子专业 09 级 2 班姓 名学 号一、课程设计的内容设计一个均匀掺杂的 npn 型双极晶体管，满足 T=300K 时，共基极电流增益 =0.9920，BV CBO=90V, NB=1017cm-3。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响，假设经验参数为年 n=3)二、课程设计的要求与数据1了解晶体管设计的一般步骤和设计原则2根据设计指标设计材料参数，包括发射区、基区和集电区掺杂浓度 NE, NB,和 NC, 根据各区的掺杂浓度确定少
6、子的扩散系数，迁移率，扩散长度和寿命等。3根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数，包括集电区厚度Wc，基本宽度 Wb，发射区宽度 We 和扩散结深 Xjc, 发射结结深 Xje 等。4根据扩散结深 Xjc, 发射结结深 Xje 等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间；由扩散时间确定氧化层的氧化温度、氧化厚度和氧化时间。5根据设计指标确定器件的图形结构，设计器件的图形尺寸，绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。 6. 根据现有工艺条件，制定详细的工艺实施方案。7撰写设计报告三、课程设计应完成的工作1. 材料参数设计2.晶体管纵向结构设计3.晶体管的横向结构设计（设计光刻基
7、区、发射区和金属化的掩膜版图形）4工艺参数设计和工艺操作步骤5.总结工艺流程和工艺参数6. 写设计报告四、课程设计进程安排序号 设计各阶段内容 地点 起止日期1 教师布置设计任务，讲解设计要求和方法 地点 起止日期2学生熟悉设计任务，进行资料查阅和整体设计方案的制定 教 1-414 2012.6.253设计晶体管的各区材料参数和结构参数设计图书馆工三 317 2012.6.264.教师集中辅导，分析材料参数和结构设计中存在的主要问题图书馆工三 317 2012 .6.275 晶体管工艺参数设计， 教 1-414 2012.6.286 绘制光刻基区、发射区和金属化的版图实验室教 1-414201
8、2.6.29-2012.6.308教师集中辅导，分析工艺设计中存在的主要问题实验室教 1-4142012.7.12012.7.29 总结设计结果，写设计报告实验室教 1- 414 20127.310 写课程设计报告实验室图书馆 2012.7.411 教师组织验收，提问答辩图书馆，宿室 2012.7.5五、应收集的资料及主要参考文献1 半导体器件基础Robert F. Pierret 著，黄如译，电子工业出版社，2004.2 半导体物理与器件 赵毅强等译，电子工业出版社，2005 年.3 硅集成电路工艺基础 ，关旭东编著，北京大学出版社，2005 年.4. 自己查找相关资料和书籍发出任务书日期： 2012 年 6 月 25 日 指导教师签名：计划完成日期： 2012 年 7 月 6 日 基层教学单位责任人签章：主管院长签章：
