1、祝钟剑 7121682500021. 使晶闸管导通及维持晶闸管导通的条件分别是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：导通：首先是晶闸管上有一个正向偏压,再者门极加上触发信号。并且保证AK 之间的电流大于晶闸管本身规定的擎住电流，也就是必须大于这个最小导通电流值。这时候即使去掉触发信号，晶 闸管也处于导通状态。维持：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 关断：关断方式为自然关断，即 AK 间的电流小于擎住电流，或者在晶闸管两端施加一个反偏压，则晶闸管关断2. 如何防止电力 MOSFET 因静电感应引起的损坏？答：电力 MOSFET 的栅极绝缘层很薄
2、弱，容易被击穿而损坏。 MOSFET 的输入电容是低泄漏电容，当栅极开路时极易受电干扰而充上超过 20 的击穿电压，所以为防止 MOSFET 因静电感应而引起的损坏，应注意一下几点：1 一般不用时讲其三个电极短接；2 装配时人体、工作台、电烙铁必须接地，测试时 所有仪器外壳必须接地；3 电路中，栅、源极间长并联齐纳二极管以防止电压过高；4 漏、源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。3. 试说明 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。答：比较如下表：器 件 优 点 缺 点IGBT开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动
3、功率小开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及 GTOGTR耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题GTO电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低电 力MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW 的电力 电子装置4. 单相半波可控整流电路对电感负载供电，L20mH，U 2100
4、V，求当 0和 60时的负载电 流 Id，并画出 ud 与 id 波形。解： 0时，在电源电压 u2 的正半周期晶闸管导通时，负载电感 L 储能，在晶闸管开始导通时刻，负载电流为零。在 电源电压 u2 的负半周期， 负载电感 L 释放能量，晶闸管继续导通。因此，在电源电压 u2 的一个周期里，以下方程均成立： tUtiLsin2d考虑到初始条件：当t 0 时 id0 可解方程得： )cos1(2dti20d )(dcos1(tLUI= 2=22.51(A)ud 与 id 的波形如下图：0 2 tu20 2 tud0 2 tid当 60时，在 u2 正半周期 60180期间晶 闸管导通使电感 L
5、 储能，电感L 储藏的能量在 u2 负半周期 180300期间释放，因此在 u2 一个周期中60300期间以下微分方程成立： tUtiLsin2d考虑初始条件：当t 60时 id0 可解方程得： )cos1(2dti其平均值为 )(ds2(2135d tLUI= LU2=11.25(A)此时 ud 与 id 的波形如下图：tudid + + ttu20+ +5 单相桥式全控整流电路， U2=100V，负载中 R=2，L 值极大，反电势E=60V，当 a=30时，要求：a. 作出 ud、id 和 i2 的波形；b. 求整流输 出平均电压 Ud、电流 Id，变压器二次侧电流有效值 I2；c. 考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定 电流。解：ud、id 和 i2 的波形如下图：u2O tO tO tudidi2O tIdIdId 整流输 出平均电压 Ud、电流 Id，变压器二次侧电流有效值 I2 分别为Ud0.9 U2 cos0.9100cos3077.97(A)Id (UdE)/R(77.9760)/29(A)I2Id 9(A)晶闸管承受的最大反向电压为： 2U2100 141.4（V）流过每个晶闸管的电流的有效值为：IVTId 6.36（A）故晶闸管的额定电压为：UN(23)141.4 283424（V）晶闸管的额定电流为：IN(1.52)6.361.5768（A）
