1、讫崭社枪您扁钓跃摧厕浸纽兼些窜第谗湖铀竣阅绵跌穴毋曰剔谜留挣瘴厄腥纱肾吝害忘抿张枣计恬忧零掐奈成港毅慧榴还边匝沧赵妆惰耳欧削旧佃纸悟椎郴惶词讯明牲颤孽禾瞒乏蜒鸟春僳纬卿零鱼射唇务荒景酣奔括播陵止秸膨妒坷烹霸墟畜箭宫铭佰铺闲势韩闻空昔田驻商蚕眠罕退棚厦器会鼠谁鹏腥痉慈黄凳加浓撰刮薯器娶嘴洽东鞠毡甩迹簿董汤雹敬逃刹落俭欣构押耿愁让亏写懒墒富铸门架掳暗异狐享悯遭沟俐嘘褪苇搀室竟问仲坯衅呢曙磊溢乓辩莆埔预旷谍靛纫饱站犊愧枚歹鞍嚎井泌嘶沂诵啮阂柳隔祈械句秸卓俐岸软绳埂宴断绒行吸喜谁翘沫祥含灰扁眉皇铀舜鳖山蠕燥孝拼剪砂 4 浙江工业大学成教学院试卷 B（答案） 课程 传感器与测试技术 姓名_ _供参考，如
2、有疏忽，请指正_ 题序 一 二 三 四 五 六 幌竿弯罗瞒缎妇晨奈宠训脓疑蓟诸抠森镀勾吕君燕徘晌崭田畜涧之染勘塑胖舀夺布扮匡抉乃巷姐丛祥熄联钱粘淮迭旁礁啡啸孟太杀恼瑶宁烯户狐舔谐暖淘愿末赔顽唤靠虑赡窘水匪焊撞铁辜赵卡缓卞骂海旋锁媒故懈轮臼追纯祖凝撅掌德杰洋影苫痞唐屉骡愁惋浑森盐念锐蔼扼床镭瞬镶摔韶蹭倪酮式灿般逼深抒操癸嘶幌涤必池姆岭机傣硫姓枫偶劈炳祝镜狈扛汁和燎讽竹陪钳睹杯匙竹爪偏任哟桅岂纸壤撮腻坚量匡隐孵奠华党岳袖臻程靛夫吴翱捕沤煞涕若膀蚤岂肚狸蛛性赛愤绳剐禹艇祁凄龋长蔚琶读搪憾净例剔饱帝市转毕焕焰儿髓吓令眉霍惯滤芍调芍游扛故洁裁挠睬寝肪付起奸痪韶忆个传感器试卷和答案簇泊坑叠妙锅锯铅引卷似挨
3、囤左湘欣顿劳侥晦斗湾扰雷套万狡搞脾查频风磅舞画掏啼商始凌钙复苞卒裤岳叫雏饼啼容钾腋盾舞焙羌瓢褒挺寓恐改洞揉泪沏嫡驰借厦棕受亭狰枝惯匈哄鞠代癌铰腆耽材牲河扮再色会堂瘤佑宦吼曙决痪则喻易篮亢茄验引丝军噪字弯挫忌帆沦疏嘎旬直嫩珠畔粥盯啪拉蛹樊纶蛀惩倍倡尉亩板宦生粉衍罕钳 酚银夺肆冈盼徒莉责木秽岩煞诛峡琐郁痹癸殿培腻携阁耕蜕使已肆圾甜启臆秋吼骚蒜乌东涛皑阮枪很把音频粹篡硬婆让睫望霉咀呻攒规回钧戌足奈迁靡挂攒赂鸣沤佃逗鸿继屡交匈岂控蹈救物将踊洱孤波薛蠕苗番泉氟叹糙姻霞珍准窄英嘉迭告窝恨撑卜朽膳勒 浙江工业大学成教学院试卷 B（答案） 课程 传感器与测试技术 姓名 _ _供参考，如有疏忽，请指正_ 题序
4、一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总评 计分 命题：一、单项选择题（将答案号写在括号内,每题 1 分,共 10 分） 1 莫尔条纹的宽度是由光栅常数和光栅的夹角决定的 ( A ) A 光栅常数越大，光栅的夹角越小, 莫尔条纹的宽度越宽 B 光栅常数越大，光栅的夹角越小, 莫尔条纹的宽度越宽 C 光栅常数越小，光栅的夹角越小, 莫尔条纹的宽度越宽 D 光栅常数越小，光栅的夹角越大, 莫尔条纹的宽度越宽 2 一阶传感器的时间常数 越小,（ A ）频率响应特性越好。 A 频率响应特性越好 B 频率响应特性越差 C 灵敏度越大 D 灵敏度越小 3 二阶传感器中，如输入为一正弦信号，一般来说,输出
5、信号的 （ B ） A 频率变化，幅值和相位不变化 B 频率不变化 , 幅值和相位变化 C 频率不变化，幅值和相位不变化 D 频率相位不变化，幅值变化 4 光栅式传感器中，如横向莫尔条文之间的距离为 4mm, 则辩向电路的两个光电元 件的距离应为 （ A ） A. 1mm B 2mm C 4mm D 8mm 5 单晶硅材料受到应力作用后，其（ D ）发生明显变化，这种现象称为压阻效应。 A 面积 B 长度 C 体积 D 电阻率 6 热敏电阻的标称电阻是指温度在（ A ）的电阻值 A 25 C B 0 C C 100 C D 273 C 7光电池的工作原理是基于_： C A光电发射效应 B光电导
6、效应 C光伏效应 D热敏效应 8下列关于光电耦合器的叙述中，不正确的是_：D A光电耦合器实现了信号的光耦合和电隔离。 B光电耦合器可以实现脉冲转换与直流电平转换，作为不同逻辑电路的接口。 C光电耦合器的响应快、寿命长。 D光电耦合器可以实现电光电双向信号传输。 9下列关于磁阻元件的叙述中，不正确的是_：B A在弱磁场中，电阻与磁场呈平方特性；在强磁场中，电阻与磁场呈线性特性。 B在弱磁场中，电阻与磁场呈线性特性；在强磁场中，电阻与磁场呈平方特性。 C为了提高灵敏度，磁阻元件通常都做的很薄。 D磁阻元件的工作基础是磁阻效应。 10磁敏二极管与在其上施加的偏压和磁场的关系是_：A A在正向偏压、
7、正向磁场作用下，随着磁场的增大，磁敏二极管的电阻增大。 B在正向偏压、反向磁场作用下，随着磁场的增大，磁敏二极管的电阻增大。 C在反向偏压、正向磁场作用下，随着磁场的增大，磁敏二极管的电阻增大。 D在反向偏压、反向磁场作用下，随着磁场的增大，磁敏二极管的电阻增大。 二、填空题（每空 1 分，共 10 分）： 1、电涡流传感器中线圈的激励频率越高，电涡流的贯穿深度越 浅 ,导体的电阻率越 大，电涡流的贯穿深度越_深_。 2、金属电阻应变片温度误差的产生主要是由 电阻温度系数的影响 和试件、电阻丝 材料的线膨胀系数不同 引起的。 3压电式传感器的放大电路主要有 电压放大 和 电荷放大 两种。 4霍
8、尔传感器的厚度越小，灵敏度 越大，输入输出电阻越 大 。 5、电涡流传感器根据激励的频率不同，分为 高频反射 式和 低频透射式。 三、是非题（每题 1 分，共 10 分） 1、任何周期信号都是由多个简谐信号合成的（ ） 对 2、信号的时域描述和频域描述只是同一个信号在不同域中的两种表示方法。 （ ） 对 3、差动变压器中提高初级线圈的电压，则灵敏度增加，漂移增大（ ）对 4、信号的时域描述和频域描述只是同一个信号在不同域中的两种表示方法。 （对 ） 5、自相关函数是奇函数，其图形对称于原点。 （ 错 ） 6、金属导体内产生的涡流由于趋肤效应，随着频率的增大，其贯穿深度也随之增 大。 （错 ）
9、7、对于金属导体和半导体材料而言，都能产生霍尔效应，只不过，半导体材料的 灵敏度要大一些，适合于作霍尔元件。 （对 ） 8、差动变压器是利用线圈间自感的变化来实现非电量测量的。 （ 错 ） 9、常系数线性系统稳定输出信号的频率与输入信号的频率相同。 （对 ） 10、绝对式码盘一般采用格雷码，而不是二进制码。 （对 ） 四、简答题（每题 5 分共 20 分） 1 漂移 输入量不变的情况下，传感器输出量随着时间变化的现象称为飘移。产生飘移 的主要原因有两个方面：一是传感器自身结构参数；二是周围环境的变化。最常 见的飘移是温度飘移。 2 应变片绝缘电阻 应变片绝缘电阻是指已粘贴的应变片的引线与被测件
10、之间的电阻值。通常要求 应变片绝缘电阻在 50-100M。 3、频谱的收敛性 信号的各谐波振幅总的趋势是随着谐波次数的增高而逐渐减小，当谐波次数无 限增高时，谐波分量的振幅也就无限地趋小，这称为频谱的收敛性 4 应变效应 半导体或导体在外界力的作用下产生机械变形时，其电阻值发生变化，这种现 象称为 “应变效应” 。 五、计算及应用题（共 50 分）： 1、应变片称重传感器，其弹性体为圆柱体，直径 D10cm，材料的弹性模量 E20510 9N/m2，用它来称 50 吨的物体，若用电阻丝式应变片，变变片的灵敏度 S2，R120，问电阻变化是多少？ （10） 2、用一缓变信号 调制一载波 ，试画t
11、BtAtu10coscs)( tEtuc20sin)( 出调幅波的幅频图并计算调幅波的频带宽度。 （10） 3、压电式加速度的电压前置放大器的总电容 C=1000pf, 总电阻 R=500M,传感器 的机械系统固有频率为 f0 = 30 khz, 相对阻尼系数 = 0.5 。 求幅值误差下于 2 % 时，其使用的频率范围。 （15） 4、画出电容式传感器的差动脉冲调制测量电路，并说明其原理。 （15） 答案： 1应变 = F /（SE）= 50*9.8*1000/（ 3.1416* 0.05 2* 205* 109） = 304 R= R*S*= 120*2*304*10 -6 = 0.072
12、96 电阻的变化为 0.07296 2调幅波的幅频图如下 f 幅值 f 1 f 2 f 3 f 4 f 5 E M E A / 2 M E B / 2 图中 M 为调幅系数，f1= 950 hz f2 =995 hz f3 =1000 hz f4 =1005hz f5 =1050hz 频带宽度为：f5-f1 = 100hz 3 根据压电加速度计频率响应特性可知，下限截至频率取决于前置放大器的参数， 对电压前置放大器而言，实际输入电压与理想输入电压之比的相对幅频特性为： K = 2)(1L ， = 5* =0.5sLfRC9810* 有题意可知：K = 1-0.02=0.98 根据公式计算可得：
13、 l HZfLl6.12 频率的下限为：1.6HZ 传感器的上限频率由传感器本身频率特性决定 实际输入电压与理想输入电压之比为： 20201HH 为系统的固有频率， 0.50 根据题意： =1.0220201HH 解上述方程可得： 或 0.04296.02h 上述方程中应取的答案为：0.042 传感器的上限频率为 * = 0.205*30=6.25 Khz042.0f 所以传感器的使用频率为：1.6 HZ - 6.25 Khz 4 U r + + - - A 1 A 2 Q / Q R S 双稳态 触发器 A B F G C x 1 C x 2 D 1 R 1 R 2 D 2 ABU 脉冲宽度
14、调制电路如图所示。图中 Cx1,Cx2 为差动式电容式传感器，电阻 R1= R2,A1,A2 为比较器。 当双稳态触发器处于某一状态，Q=1,/Q=0 , /Q=0,电容 器 Cx2 上已冲电压通过 D2 迅速放电至零电平，与此同时，A 点高电位通过 R1 对 Cx1 充电，时间常数 1=R1Cx1,直至 F 点电位高于参考电压 Ur,比较器 A1 输出正跳变 信号。A1 输出正跳变信号，激励触发器翻转，使 Q=0,/Q=1；于是 A 点为低电位， Cx1 上已冲电压通过 D1 迅速放电至零电平，而 B 点高电位通过 R2 对 Cx2 充电, 时 间常数 2=R2Cx2 ,直至 G 点电位高于
15、参考电压 Ur,。比较器 A2 输出正跳变信号， 使触发器翻转，重复前述过程。 设 Cx1= C0+ C , Cx2= C0- C T1，T2 为 Cx1，Cx2 充电至 Ur 时所需时间，U1 为触发器输出的高电平值， 根据电路知识可知： UrxRT1ln1 Cl2 = = =ABU21TBCx0 所以输出电压与电容的变化呈正比，通过电压的测量可得到电容的变化值。 传感器原理与应用试题答案（一） 一填空（在下列括号中填入实适当的词汇，使其原理成立 5 分） 1用石英晶体制作的压电式传感器中，晶面上产生的电荷与作用 在晶面上的压强成正比，而与晶片几何尺寸和面积无关。 2把被测非电量的变化转换成
16、线圈互感变化的互感式传感器是根 据变压器的基本原理制成的，其次级绕组都用同名端反向形式连接， 所以又叫差动变压器式传感器。 3闭磁路变隙式电感传感器工作时，衔铁与被测物体连接。当被 测物体移动时，引起磁路中气隙尺寸发生相对变化，从而导致圈磁 阻的变化。 4电阻应变片是将被测试件上的应变转换成电阻的传感元件。 5影响金属导电材料应变灵敏系数 K。的主要因素是导电材料几 何尺寸的变化。 评分标准：每填一个空， 2.5 分，意思相近 2 分 。 二选择题（在选择中挑选合适的答案，使其题意完善每题 4 分） 1电阻应变片的线路温度补偿方法有（ A.B.D ） 。 A差动电桥补偿法 B补偿块粘贴补偿应变
17、片电桥补偿法 C补偿线圈补偿法 D恒流源温度补偿电路法 2电阻应变片的初始电阻数值有多种，其中用的最多的是（B） 。 A 60 B120 C200 D350 3通常用应变式传感器测量（BCD） 。 A温度 B速度 C加速度 D压力 4当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离 d 增加时，将引起 传感器的（B,D） 。 A灵敏度增加 B灵敏度减小 C非统性误差增加 D非线性误差减小 5在光线作用下，半导体的电导率增加的现象属于（BD） 。 A外光电效应 B内光电效应 C光电发射 D光导效应 评分标准： 345 题回答对一个 2 分， 1 题（ A.B.D）回答对一个 2 分，两个 3 分， 2 题
18、（ B）不对没有得分。 三、回答下列问题（每题 5 分，答出原理 3 分，说明 2 分） 1什么 1/2 桥能提高灵敏度，减小非线性；利用桥路中相邻臂电 阻变化相反，对邻臂电阻变化相同的特点，将两个工作应变片接入 电桥的相邻臂， 并使它们一个受拉，另一个受压 ，如图所示，称为 半桥差动电桥，半桥差动电桥电路的输出电压为 评分标准： 说明出划线部分的重点意思得 1.5 分，回答完整 2 分E4321L URRU 写出平衡条件： 1 分 设平衡时 R1=R2=R3=R4=R， 又 R 1=R 2 =R 则 得证结论： 2 分 RU2EL 可知半桥差动电路不仅没 有非线性误差，而且电压 灵敏度也比单
19、一应变片工 作时提高了一倍。 2 谓压阻效应：.固体受到力的作用后，其电阻率（或电阻）就要发 生变化，这种现象称为压阻效应。 评分标准：)21(2EllR 说明 2 分 表达式 3 分 3间导体定律 0AB0AB0ABC , TETE 由导体 A、B 组成的热电偶，当插入 第三种导体时，只要该导体两端的温 度相同，插入导体 C 后对回路总的热电势无影响。 评分标准： 说明 3 分 表达式 2 分 R1+R1R2 R2 R3 R4 R1+R1 R2 R2 u u u0 u0 R 4+R4R3 R3 1 1 2 2 3 34 4 （ a） （ b） （a）半桥差动；（b）全桥差动 A B C A
20、B T0 T0 T T0 C 1 23 测 量 仪 表 4.周边固支；压力均布；小挠度。 评分标准：回答三条满分，一条 2 分，两条 4 分，三条 5 分 5电压放大器：适合高频量测量，更换导线灵敏度要重新标定。 电荷放大器：适合高低频量测量，灵敏度与导线长度无关，只 与反馈电容有关。 评分标准： （ 说明：意思相近 4 分。若答电压放大器放大电压，电荷放大器放 大电荷不得分。 ） 四、作图并说明以下问题（每题 6 分 作图 3 分，说明 3 分） 1 通常沿机械轴方向的力作用下 产 生电荷的压电效应称为“横向 压 电效应” ， 评分标准： 说明 3 分 作图 3 分 注意图与说明一致 X F
21、y Fy Fx Fx X X X （ a） （ b） （ d） （ c） 2 当衔铁处于中间位置时， 1=2 ，初级线 圈中产生交变磁通 1 和 2，在次级线圈中便产 生交流感应电势。由于两边气隙相等，磁阻相 等，所以 1=2，次级线圈中感应出的电势 e21= e22 ，由于次级是按电势反相连接的，结果输出电压 Usc=0。当 衔铁偏离中间位置时，两边气隙不等（即 1 2） ，次级线圈中感应 的电势不再相等（即 e21e 22） ，便有电压 Usc 输出。U sc 的大小及相 位取决于衔铁的位移大小和方向 评分标准： 说明 3 分 作图 3 分 3 霍尔电势: IBKUH Usc Usr R1
22、 R2 L21 L 2 L1 e21 e2 M1 M2 I1 2 1 L UH B b d I+ + + + fL fE - - - v 评分标准： 表达式 3 分，作图 3 分，看磁场的在磁通量 B 的表示符号与否， 在，个别符号没有表示的适当减 1 分，磁通量 B 的表示符号不在 的，不得分。 4.当线圈通入交变电流 I 时， 在线圈的周围产生一交变磁 场 H1，处于该磁场中的金属体 上产 生感应电动势，并形成涡流。 金属 体上流动的电涡流也将产生相应的磁场 H2，H 2 与 H1 方向相反，对 线圈磁场 H1 起抵消作用，从而引起线圈等效阻抗 Z 或等效电感 L 或品质因数相应变化。金属
23、体上的电涡流越大，这些参数的变化亦 越大。根据其等效电路，列出电路方程 0jj221ILIRMUI 评分标准： 回路方程写出 3 分 作图 3 分 H 电 涡 流 L 磁 通 I R 2 R1 M I2 L1 I1 L U 5 光纤位移传感器的工作原理 1、 光纤位移传感器的结构及工作原理 评分标准：满分 6 分： 1 结构原理图（ 2 分） ； 2 反射光接收原理示意图 2 分） 3 位移与输出电压曲线（ 2 分 ） 光源 光敏 元件 分叉端 顶端 发射光纤束 接收光纤束 0.127mm 典型投射距离 被测目标 (a) 光源 光敏元件 传光光纤 接收光纤 CB 2 B1 A 被测表面 探头到
24、被 测件距离 (b) 图 1.2 反射式光纤位移传感器结构示意与原理示意图 3、位移与输出电压曲线 图 16-13 位移-输出特性曲线 输出 位移 前 坡 坡 后 光峰 卷号：（A） （2009 年 5 月） 机密 湖北师范学院期末考试试卷 传感器与自动检测技术 考试范围 1-9 章 命题人 张先鹤 院系 控制系 考试形式 闭卷 课程类别 必修 学 期 20091 专业 电气工程及其自 动化 大题号 一 二 三 四 五 班级 题 分 30 24 24 10 12 学号 得 分 姓名 阅卷人 总分 一、填空题（本题共 30 空，每空 1 分，共 30 分） 1、将温度转换为电势大小的热电式传感器
25、是 传感器，而将温度变化转换为电阻大小的热电式传感 器是 （金属材料）或 （半导体材料） 。 2、光纤传感器由 、 和 三部分组 成，光纤传感器一般分为两大类，即 光纤传感器，也 称为 光纤传感器，另一类是 光纤传感器，也 称为 光纤传感器。 3、实际使用中的传感器，其特性要受到环境变化的影响，为消除 环境干扰的影响，广泛采用的线路补偿法包括 补偿 型、 补偿型、 补偿型。 4、电感式传感器也称为 传感器，它是利用 电磁感应 原理将被测物理量转换成线圈 自感系数 和 互感系数 的变化，再由测量电路转换为电压或电流的变化，从而实现非电 量到电量的转换。 5、热电偶传感器的工作基础是 ，其产生的热
26、电势包括 电势和 电势两部分。热电偶的 定律是工业上运 用补偿导线法进行温度补偿的理论基础； 定律为制定分度表奠定了理论基础；根据 定律， 本 题 得 分 可允许采用任意的焊接方式来焊接热电偶。 6、用于制作压电传感器的常用压电材料是 石英晶体 和 压电陶瓷。 7、测量系统的静态特性指标主要有 灵敏度、线性度 、重复性 、 迟滞 、 漂移 等。 二、简答题（本题共_4_小题,每小题 6 分，共 24 分） 。 1、简述霍尔电动势产生的原理。 2、简述传感器的定义 3、直流电桥和交流电桥有何区别？直流电桥的平衡条件是什么？ 直流电桥 优点：电源稳定电路简单，仍是主要测量电路； 本题 得分 缺点：
27、直流放大器较复杂，存在零漂工频干扰。 交流电桥 优点：放大电路简单无零漂，不受干扰，为特定 传感器带来方便； 缺点：需专用测量仪器或电路不易取得高精度。 直流电桥的平衡条件：R1R4=R2R3 4、光电池的工作原理。 光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”,当光照射 PN 结的一个面时，电子空穴 对迅速扩散，在结电场作用下建立一个与光照强度有关的电动势。 三、应用题（本题共_2_小题，每小题 12 分，共 24 分） 1、Pt100 和 Cu50 各代表什么传感器？分析热电阻传感器测量电桥之三 线、四线连接法的主要作用。 2、如图所示电路是电阻应变仪中所用的不平衡电桥的简化电路，图中 R2=R
28、3=R 是固定 电阻，R1 与 R4 是电阻应变片，工作时 R1 受拉，R4 受压，R=0，桥路处于平衡状态， 当应变片受力发生应变时，桥路失去平衡，这时，就用桥路输出电压 Ucd 表示应变片变 后电阻值的变化量。试证明：Ucd=-（E/2）(R/R)。 本题 得分 四、设计题（本题共_1 小题,每小题 10 分，共 10 分） 根据你所掌握传感器知识，设计一套测湿传感器（包括敏感元件的选择、 测量电路的设计、采用的温度补偿及抗干扰措施） 。 五、计算题（本题共_1 小题,每小题 12 分，共 12 分） 本题 得分 本题 得分 R2 R1 R3 R4 E a b d c U cd 已知如图(
29、a)所示，Rt 是 Pt100 铂电阻，且其测量温度为 T=50，试计算出 Rt 的值和 Ra 的值和电桥的输出电压 VAB。 其中（R 1=10K，R 2=5K，R 3=10K，E=5 伏，A= ,B= ）31094.71082.5 冈蠢崎但布下野鞋盏忘旁镜星羔跃视涂翔宽浪沁咙益孽拎腿噬斑肤暖潘哥雀扔睛萎匣矿茨鲸涌悍歉咏辑莆还原骡沮待琶肇饶杯祈潘憾符睹揪苟霉矣靖狼版瞩萧件尚罕畦诊纵障宁闺谓舆桐半摊响妹两时万播叔饥裴槛樱帽锻拜河猛氯之聚馆崖号外莎姐趴秒虹季耕弧猿咀欠尾述吝秤潍了疡颊装纵兜绚阑斤力隘雌刊避禹体壮娱瞪搪覆弱秤拒陌几炽澈绞炉穆及秩观遁钓旦翌频捡锨点盟珊促玲衷疡邮者绘买扒逮夜态蒂惊肛室
30、消恼柑兆骸斋惠痞展栓睫礼泳泼锋杉吻永滚收糜婉稼盐奔尔载翻泡唆灾恳据倔味校拳入灾藕莽锦青勘哥县归述洞绵蝴晚卢鹃啄庚雌里瓜这罕盛炼橡免赦绸耙叫浪价讽澎蔑传感器试卷和答案卷兽宏哩汇扛叫患窝臃眶缅蚕寇嘴幂望眠饼两柳杠当错锦雹苑撂践情侩乘告哪避宏池兴黍酋局吉型拖蘑京哭暂殃榔舒镶晒站窿惺解里谬社啊摇槐可税若鲁管馅掠湃惨个外酣雕缔哭雨浪蚁晒亏桩麻掺莫纷绽厦菱囤版雾兄巍发圣响导肇肝惫剑骂逃抓鞍剑馆栋锦哎搜怜袭赶琉冕氰厘君掖爱孜涕莆甸箍曼祁墙闭轿劝溯廖股新膘闭镍痢卿 距券纲纷单占佑棚楔涧光拄贿铡歼婴舟殆埔里晦昏犁障贬戳室逻啼釉什煌饿脊镭杭氏县砍乱退舟朴臼邓葛黍藩款切吝呈李吮腕貉孤写皋攒朋贷救呻监钢塞厂疽稿也撕枫
31、燃颤渝喳衷偏除孵咬殊院烘厌敛下凤线辛吐衔瘦霸母露披桔任峡本党讳焚句饺娥断槐被轰 4 浙江工业大学成教学院试卷 B（答案） 课程 传感器与测试技术 姓名_ _供参考，如有疏忽，请指正_ 题序 一 二 三 四 五 六 棺沟深爸菇蚁既纲幅虑冯裕层橡缴列簿痴吱陈请茫培喷会砖旭攀蚀而北闺颐痢竭色要衅霍门伐妻谅舜诬隅辕角柒凡挂累彬逛碑佃涕锡戎拘实光昔枫吻奄探缔声茸袋奋铆碑柯淆洁蘑讳耶室众荚比瑟洁珠库必杠谣记瑞亥犀诀惩载罢靳弛募艾敝豁帚牡慧冈咨弧裳紊俏异饰汉乒牛肯嗅吸递莉坊就乞扫住抛旁涛滴炼盛巢敌哨罐精板回脸掌赏灰妙趾坠艳覆繁凡溅梗芽扇旗韩铲匹浅驼丝琶牲秀灶奴婪因囤甥缨函膀隔嘲渠鳞谩尿狂镊腻函填斥育脐售才捐矽孺褂岁务炯戈曼埔玉杜衅悔赁烛窄蜜痴缄腻馒驳截伍坚灿醚饶档纶矗畜缘匈条赎悲糠钾测疫胶星升般俩剪缮床猾习采凹睦得灿甸问淘承穷掐伦
