1、选择题第一章 材料结构的基本知识第二章 材料的晶体结构1.氯化铯（CsCl）为有序体心立方结构，它属于 C A、体心立方 B、面心立方 C、简单立方点阵；2.理想密排六方结构金属的c/a为 B A、1.6 B、2(2/3)1/2 C、2/33.对面心立方晶体而言，表面能最低的晶面是 c A、 (100) B、(110) C、(111) D、(121)4.下列四个六方晶系的晶面指数中，哪一个是错误的： C A、 B、 C、 D、 5.面心立方结构的铝中，每个铝原子在本层（111）面上的原子配位数为 B A、12 B、6 C、4 D、3 6.简单立方晶体的致密度为 C A、100% B、65% C
2、、52% D、58%7.立方晶体中（110）和（211）面同属 D 晶带 A、110 B、100 C、211 D、 8.立方晶体中（111）和（101）面同属 D 晶带 A、111 B、010 C、011 D、 9.原子排列最密的一族晶面其面间距 。A、最小 B、最大10.六方晶系中和晶面等同的晶面是 A A、 面 B、 面 C、 面 D、 面11.配位数是指晶体结构中： B A、每个原子周围的原子数； B、每个原子周围最邻近的原子数C、每个原子周围的相同原子数； D、每个原子周围最邻近的和次近邻的原子数之和 12.密排六方与面心立方均属密排结构，他们的不同点是： D A、晶胞选取方式不同；
3、B、原子配位数不同； C、密排面上，原子排列方式不同； D、原子密排面的堆垛方式不同13.在立方晶系中，与(101)、(111)同属一晶带的晶面是： d A、(110) Bb、(011) C、 D、(010)14.TiC与NaCl具有相同的晶体结构，但它们不属于同一类中间相，这是因为： D A、TiC是陶瓷，NaCl是盐B、NaCl符合正常化合价规律，TiC不符合正常化合价规律C、TiC中电子浓度高 D、NaCl的致密度高15.立方晶体中（110）和（310）面同属 D 晶带 A、110 B、100 C、310 D、00116. 14种布拉菲点阵： A A、按其对称性分类，可归结为七大晶系B、
4、按其点阵常数分类，可归结为七大晶系C、按阵点所在位置分类，可归结为七大晶系D、按其几何形状分类，可归结为七大晶系17.与（113）和（112）同属一晶带的有： C A、 B、 C、(110) D、(211)18.引入空间点阵概念是为了： C A、描述原子在晶胞中的位置 B、描述晶体的对称性 C、描述晶体结构周期性 D、同时描述晶体结构周期性和对称性19.有A、B两晶体，下面几种说法中正确的是 C ；A、所属空间点阵相同，则此两晶体的结构相同 B、晶体结构相同，它们所属空间点阵可能不同 C、晶体结构不同，它们所属空间点阵必然不同 D、所属空间点阵不同，晶体结构可能相同20.体心立方晶体中间隙半径
5、比面心立方中的小，但BCC的致密度却比FCC低，这是因为： D A、BCC中原子半径小 B、BCC中的密排方向上原子排列比FCC密排方向上的原子排列松散C、BCC中的原子密排面110的数量太少 D、BCC中的原子配位数比FCC中原子配位数低21.组成固溶体的两组元完全互溶的必要条件是： B A、两组元的电子浓度相同 B、两组元的晶体结构相同，C、两组元的原子半径相同 D、两组元的电负性相同，22.晶体结构和空间点阵的相互关系 C A、空间点阵的每一阵点代表晶体中的一个原子B、每一种空间点阵代表唯一的一种晶体结构C、晶体结构一定，它所属的空间点阵也唯一地被确定D、每一种晶体结构可以用不同的空间点
6、阵表示23.晶体中配位数和致密度之间地关系是 A A、配位数越大，致密度越大 B、配位数越小，致密度越大；C、配位数越大，致密度越小 D、两者之间无直接联系24.离子晶体和纯金属晶体各有配位数的概念，两者的含义： C A、完全相同，B、不同，离子晶体的配位数是指最近邻的同号离子数，而纯金属晶体的配位数是指最近邻的原子数 C、不同，离子晶体的配位数是指最近邻的异号离子数，而纯金属晶体的配位数是指最近邻的原子数 D、不同，离子晶体的配位数是指最近邻的异号离子数，而纯金属晶体的配位数是指最近临和次近邻的原子数之和25.在离子晶体中 B A、阳离子半径大于阴离子半径 B、阴离子半径大于阳离子半径；C、
7、阳离子半径与阴离子半径相等 D、阳离子半径可以大于阴离子半径,也可以小于阴离子半径 26.硅酸根四面体中的氧离子 C A、只属于一个硅酸根四面体 B、可以被多个硅酸根四面体共用C、只能被两个硅酸根四面体共用 D、可以被四个硅酸根四面体共用第四章 晶体缺陷27.在理想热力学平衡状态下，下列哪类缺陷是不应该存在的： B A、空位、晶界 B、位错、晶界 C、空位、位错 D、空位、位错、晶界28.螺位错的位错线是 A、曲线 B、 直线 C、折线 D、环行线 29.如下说法哪个是正确的， C A、形成点缺陷所引起的熵的变化使晶体能量增加B、晶体总是倾向于降低点缺陷的浓度 C、当点缺陷浓度达到平衡值时，晶
8、体自由能最低 30.氮、氧在金属中一般占据间隙位置，这是因为 。A.金属中间隙半径大于氮、氧原子半径 B.氮、氧都是气体 C.氮、氧原子半径小，能挤入金属中间隙位置31.在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷为 B A、肖脱基缺陷 B、弗兰克尔缺陷 C、间隙缺陷 32.肖脱基缺陷是离位原子进入其它空位或迁移至晶界或表面形成的点缺陷A、肖脱基 B、弗兰克尔33.当点缺陷浓度达到平衡值时，晶体自由能最低A、 最大值 B、 最小值 C、平衡值34.攀移是通过原子的扩散而实现的，攀移需要正应力，滑移需要切应力；A、正 B、负 C、任意35.晶体材料的界面能会促使显微组织发生变化，尺寸较小的晶
9、粒一定具有较少的边界数，边界向外弯曲；尺寸较大的晶粒边数大于6，晶界向内弯曲 ；只有6条边的晶粒晶界才是直线A、外 B、内 C、直线 D、曲线 第五章 材料的相结构及相图36.间隙相和间隙固溶体的区别之一是 D A、 间隙相结构比间隙固溶体简单B、间隙相的间隙原子比间隙固溶体中的间隙原子大 C、间隙相的固溶度比间隙固溶体大D、间隙相的结构和其组元的结构不同37.熔点和硬度最高的中间相是 C A、正常价化合物 B、电子化合物 C、间隙相 D、间隙化合物38.二元相图中，计算两相相对含量的杠杆法则只能用于 B A、单相区中 B、两相区中 C、三相平衡水平线上39.根据二元相图相区接触法则， 。A、
10、两个单相区之间必定有一个三相区隔开 B、两个两相区之间必须以单相区或三相水平线隔开C、三相水平线和四个两相区相邻40.钢中的珠光体是 A.铁素体和渗碳体的混合物 B.铁素体和奥氏体的混合物 C.奥氏体和渗碳体的混合物41.A、B二组元形成共晶系，则： A A、具有共晶成分的合金铸造工艺性能最好B、具有亚共晶成分的合金铸造工艺性能最好C、具有过共晶成分的合金铸造工艺性能最好D、不发生共晶转变的合金铸造工艺性能最好42.铸铁与碳钢的区别在于有无 _A_A、莱氏体 B、珠光体 C、铁素体第六章 材料凝固与气相沉积43.形成临界晶核的体积自由能的减少只能补偿表面能的 B A、1/3 B、 2/3 C、
11、 3/444.凝固时在形核阶段，只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心，当形成的核胚半径等于临界尺寸时，体系自由能变化 A ；A、 大于零 B、等于零 C、小于零45.铸锭凝固时，如大部分结晶潜热可通过液相散失时，则固态显微组织主要为 A A、树枝晶 B、柱状晶 C、等轴晶46.纯金属均匀形核时，临界半径 与 C A、该金属熔点有关，熔点越高，越小 B、该金属表面能有关，表面能越高，越小C、过冷度有关，过冷度越大，越小D、过冷度有关，过冷度越大，越大47.凝固时在形核阶段，只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心。当形成的核胚其半径等于临界尺寸时，体系的自由能变化 。A、
12、大于零 B、等于零 C、小于零48.铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时，则固态显微组织主要为 。A、树枝晶 B、柱状晶 C、球晶49.纯共晶合金生长时，因为两相的平均成分和液体成分相同，两相协同生长时界面前沿的液体不会有溶质堆积，_B_有成分过 冷，生长的界面和纯金属一样，_D_生长，_B_产生胞状或树枝结构。A、会 B、不会 C、树枝晶 D、平面式 第七章 扩散与固态相变50.在面心立方晶体结构的置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为 C 。A.原子互换机制 B.间隙机制 C.空位机制51.在钢中，C原子扩散方式一般为 C A、原子互换机制 B、 间隙机制 C、 空位机制52.在Kir
13、kendall效应中，标记物漂移的主要原因是扩散偶中 C A、两组元的原子尺寸不同 B、仅一组元扩散 C、两组元扩散速率不同53. Fick第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随 B 变化A、距离 B、时间 C、温度54.扩散的驱动力是 B A、组元的浓度梯度 B、组元的化学势梯度 C、温度梯度55.A和A-B组元合金焊接后发生Kirkendall效应，测得界面向A试样方向移动，则 A A、A组元扩散速率大于B组元 B、与（A）相反 C、A、B两组元扩散速率相同56.渗碳处理常常在钢的奥氏体区域进行，这是因为 。A、碳在奥氏体中的扩散系数比在铁素体中的大 B、碳在奥氏体中的浓度梯度比在铁素体
14、中大 C、碳在奥氏体中的扩散激活能比在铁素体中小57.原子越过能垒的激活能为Q，则扩散速率 。A、随Q增加而减少 B、随Q增加而增加 C、与Q无关58.固态金属中原子扩散的最快路径是 D A、晶内扩散 B、晶界扩散 C、位错扩散 D、表面扩散59.金属自扩散激活能应等于 A A、空位形成能和迁移激活能的总和 B、空位形成能C、空位的迁移激活能60.A和A-B合金焊接后发生克根达尔效应，测得界面向A试样方向移动则 A A、A组元扩散速率大于B组元 B、A组元扩散速率小于B组元 C、A、B组元扩散速率相同61.影响扩散系数的因数有多种，其中 A A、溶质原子的熔点越高，其在固溶体中的扩散系数越小B
15、、溶质原子在元素周期表中离溶剂原子越近，扩散系数越大C、铁的自扩散系数大于铁的自扩散系数62.界面能最低的相界面是 。A、共格界面 B.孪晶面 C.小角度晶界63.固相共格形核时，当体积一定，新相为_B_时，体积应变能最高，_A_最低，_C_居中；A、盘状、 B、球状、 C、针状第八章 材料的变形与断裂64.fcc、bcc、hcp三种晶体结构的材料中，塑性变形时最容易生成孪晶的是 C A、fcc B、bcc C、hcp 65.形变后材料再升温时发生回复和再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在 _A A、回复阶段 B、再结晶阶段 C、晶粒长大阶段 66.加工硬化使一种有用的强化手段，其缺点是_。
16、A、只适用于双相材料 B.材料在高温下不适用 C.只适用于单晶体67.金属镁的单晶处于软取向时塑性变形量可达100%200%，但其多晶体的塑性很差，其主要原因是：_ C_ A、其多晶体晶粒通常粗大 B、其多晶体通常存在裂纹 C、其独立滑移系通常较少 D、因为镁是BCC结构，所以脆性大68.经过塑性变形和再结晶过程，在下列何种情况下必定会得到粗大的晶粒组织是 A A、在临界变形量进行塑性加工 B、 大变形量 C、较长的退火时间 D、较高的退火温度69.单晶体的临界分切应力值与 C 有关A、外力相对滑移系的取向 B、拉伸时的屈服应力C、晶体的类型和纯度 D、拉伸时的应变大小70.下列有关金属弹性变
17、形的说法中，不对的是 C A、它是可逆的，即去掉外力后变形就消失 B、应力和应变之间呈线性关系C、弹性变形量的数值一般都较大 D、单晶体的弹性模量是各向异性的71.再结晶过程包括形核与长大， A A、形核与长大的驱动力都来源于形变储存能 B、形核与长大的驱动力都来源于晶界能 C、形核的驱动力来源于形变储存能，长大的驱动力来源于晶界能D、形核与长大的驱动力都来源于外部加热所提供的能量72.经冷变形后的金属在回复过程中，位错会发生 C A、增殖 B、大量消失 C、部分重排 D、无变化73.面心立方晶体的孪晶面是 C 。A、(112) B、（110） C、（lll）74.形变后的材料再升温时发生回复
18、和再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在 A A、回复阶段 B、再结晶阶段 C、晶粒长大阶段75.冷变形金属中产生大量的空位、位错等缺陷，这些缺陷的存在， C A、阻碍原子的移动，减慢扩散过程 B、对扩散过程无影响 C、加速了原子的扩散过程76.强化金属材料的各种手段的出发点都在于 A A、制造无缺陷的晶体或设置位错运动的阻碍 B、使位错增殖 C、使位错适当减少77.既能提高金属的强度，又能降低其脆性的手段是 C A、加工硬化 B、固溶强化 C、细晶强化78.晶粒长大的基本原因是 。A、晶粒细小 B、界面能 C、长期加热名词解释第一章 材料结构的基本知识第二章 材料的晶体结构1、空间点阵：将理
19、想模型中每个原子或原子团抽象为纯几何点，无数几何点在三维空间规律排列的阵列2、同素异构：是指有些元素在t和p变化时，晶体结构发生变化的特性第五章 材料的相结构及相图1、固溶体：当合金相的晶体结构保持溶剂组元的晶体结构时，这种相就称为一次固溶体或端际固溶体，简称固溶体。2、拓扑密堆积：如两种不同大小的原子堆积，利用拓扑学的配合规律，可得到全部或主要由四面体堆垛的复合相结构，形成空间利用率很高、配位数较大（12、14、15、16等）一类的中间相，称为拓扑密堆积。3、电子浓度：固溶体中价电子数目e与原子数目之比。4、间隙相：两组元间电负性相差大，且 ，具有简单的晶体结构的中间相5、间隙化合物：两组元
20、间电负性相差大，且 ，所形成化合物具有复杂的晶体结构。6、间隙固溶体：溶质原子溶入溶剂间隙所形成的固溶体。7、相图 ：表示平衡状态下，相组成、物质状态和T、P、成分之间的简明图解8、相律：是表示材料系统相平衡的热力学表达式，具体表示系统自由度、组元数和相数之间的关系。9、枝晶偏析：合金凝固时一般均以枝晶的形式长大，枝晶的主干(即先凝固部分)含高熔点组元较多，而枝晶分技的间隙部分(即后凝固部分)含低熔点组元较多，这种在一个枝晶的范围内成分不均匀的现象，叫做枝晶偏析。10、伪共晶体：成分在共晶点附近的合金自液态快冷时，有可能使液相全部凝固成共晶体而没有初生相，这种共晶体又称伪共晶体11、固溶强化：
21、溶质原子加入到溶剂原子中形成固溶体，固溶体在具有较高强度及硬度的同时，还保持良好的塑性，这一现象叫做固溶强化。12、相：是合金中具有同一聚集状态 、同一晶体结构和性质并以界面相互隔开的均匀组成部分。13、珠光体：是铁素体与渗碳体的机械混合物，具有较高硬度与强度，综合机械性能较好。14、枝晶偏析：合金不平衡凝固时，先凝固的枝杆和后凝固的枝间成分不均匀的现象，可用均匀退火的方法消除枝晶偏析。第六章 材料凝固与气相沉积1、均匀形核：在过冷液态金属中，依靠液态金属本身的能量变化获得驱动力，由晶胚直接成核过程叫均匀成核；新相晶核在母相中均匀形成。2、非均匀成核：过冷液体中晶胚依附在其他物质上成核叫非均匀
22、成核3、形核率：单位时间、单位体积内所形成晶核的数目，n/scm34、过冷：液相冷却到凝固点TM以下还保持其亚稳态而不凝固，这一现象叫做过冷。5、过冷度：液体冷却时凝固点TM与过冷液相所处温度T之差叫做过冷度( )。第七章 扩散与固态相变1、稳态扩散：在扩散过程中各截面上的浓度不随时间改变的扩散叫稳态扩散。2、Kirkendall效应：对于置换式固溶体中溶质原子的扩散，由于溶质和溶剂原子半径相差不大，原子扩散时和空位交换几率不相等，导致两者扩散速率不同。能观察到这种实验结果的实验现象称为Kirkendall效应第八章 材料的变形与断裂1、加工硬化：指金属晶体在塑性变形过程中，材料的强度随塑性变
23、形量的增加而增加。其产生机制是随着冷变形量的增加，位错密度要增加，新产生的位错必然会通过其周围存在的应力场妨碍彼此的运动，位错的这种交互作用产生了加工硬化，使塑性变形的抗力增加；强化实质在于增加位错运动阻力。2、韧性：是材料在断裂以前能够吸收的能量大小的量度3、蠕变：当金属承受恒定负荷或恒定应力时、经过一段时间后，它可能进行递增的塑性变形。这种与时间有关的应变，称为蠕变。4、固溶强化：指金属中溶质原子的存在，使其强度提高。固溶强化的根本原因在于溶质原子与位错交互作用，强化实质在于增加位错运动阻力。5、细晶强化：多晶体的屈服强度随晶粒尺寸的减小而增加。可以用Hall-patch公式表示。6、强化
24、实质在于增加位错运动阻力。第十章 材料的电性质1、能带：组成晶体的原子能级密集，密集的能量范围叫能带2、价带：价电子能级分裂成的能带称为价带3、禁带：两个能带之间可能有一个能量间隔，这个能量间隔称为禁带(亦称带隙)。4、施主能级：杂质原子的电子能级正好位于本征硅靠近导带的禁带中，它的能量与本征硅导带最低能级之差很小，很容易被激发到导带中。这种在激发中能向本征硅导带供给电子的杂质称为施主，其能级称为施主能级；5、受主能级：杂质原子在本征半导体的禁带中引进一个靠近其价带的能级，很容易接受从价带激发出来的电子，从而在价带中留下一个空穴。这类杂质原子称为受主，所在能级为受主能级；6、介电损耗：非理想电
25、容器受交变电场作用时，由于偶极子取向需要克服分子间的摩擦力等原因，在每一周期中获得的电场能量必定有一部分以热的形式损耗掉。这部分能量损耗叫介电损耗7、介电击穿：当电场强度足够高时，通过电介质的电流是如此之大，致使电介质实际上变为导体，有时还能造成材料的局部熔化、烧焦和挥发等，这种现象叫做介电击穿。8、介电强度：造成电介质击穿的电场强度称为介电强度，也称击穿强度，通常以vmm来表示。第十一章 材料的磁性质1、磁滞现象：退磁过程中B的变化落后于H的变化，这种现象称为磁滞现象；2、磁滞回线：在交变磁场的每一周期内，BH曲线构成一个封闭回路，这个回路曲线称为磁滞回线；填空题第一章 材料结构的基本知识1
26、.原子核外电子的分布与四个量子数有关，且服从下述两个基本原理：泡利不相容原理和最低能量原理2.原子结合键中一次键（强健）有离子键、共价键、金属键；二次键（弱健）有范德瓦尔斯键、氢键3.离子晶体和原子晶体硬度高，脆性大，熔点高、导电性差。4.金属晶体导电性、导热性、延展性好，熔点较高。5.能量最低的结构称为稳态结构或平衡态结构，能量相对较高的结构则称为亚稳态结构； 6.材料的稳态结构与亚稳态结构由热力学条件和动力学条件共同决定； 第二章 材料的晶体结构1.晶体结构中基元就是化学组成相同、空间结构相同、排列取向相同、周围环境相同的基本单元;2.简单立方晶胞中（100）、（110）、（111）晶面中
27、，面间距最小的是（111）面，最大的是（100）面； 3.晶面族100包含（100）（010）（001）及平行（ ）（ ）（ ）等晶面；4.（100），（210），（110），（20）等构成以001为晶带轴的晶带；5.（01），（01），（10），（10）等构成以111 为晶带轴的晶带；6.晶体结构、基元和空间点阵间的关系，可以示意地表示为晶体结构空间点阵基元7.金属中常见的晶体结构有面心立方、体心立方、密排六方三种；8.金属密堆积结构中的间隙有四面体间隙和八面体间隙两种类型 9.面心立方晶体中个晶胞内有个八面体间隙，个四面体间隙。10.陶瓷材料是以离子键、共价键以及离子键和共价键的混合键结合
28、在一起；11.硅酸盐的基本结构单元是硅酸根四面体；12. SiO2中主要化学键为 与 离子键、共价键13.硅酸盐几种主要结构单元是岛状结构单元、双四面体结构单元、环状结构单元以及链状结构单元、层状结构单元；14.离子晶体中决定正负离子堆积方式的两因数是： 电荷大小，满足电中性；正负离子的相对大小；15.陶瓷材料的组成相有 玻璃相 、 气相 和 结晶相 第四章 晶体缺陷1.晶体缺陷包括点缺陷、线缺陷和面缺陷；2.位错可分为刃位错、螺位错和混合型位错; 3.具有环形位错线的位错不可能是纯 螺位错 4.当点缺陷浓度达到平衡值时，晶体自由能最低5.根据螺旋面前进的方向与螺旋面旋转方向的关系可分为左、右
29、螺型位错6.位错在晶体中运动有两种方式滑移和攀移 ；7.不论是刃或螺型位错 ，使位错滑移的切应力方向和柏氏矢量 b都是一致的；8.滑移面两侧晶体的相对位移是与柏氏矢量 b相一致的。9.刃型位错的位错线tb，滑移面是唯一的，位错只能在确定的面上滑移10.螺位错的位错线tb，任何通过位错线的晶面都满足滑移面的条件，可以有多个滑移面。11.攀移正是通过原子的扩散而实现的，攀移需要正应力，滑移需要切应力；12.表面张力在数值上等于表面能 13.两根同号螺位错互相排斥, 随距离增加而逐渐减小；14.两根异号螺型位错之间相互吸引，直至异号位错互毁 ，此时位错的应变能也就完全消失；15.晶体中还可能形成一些
30、柏 氏矢量小于点阵矢量的位错，即柏氏矢量不是从一个原子到另一个原子位置，而是从原子位置到结点之间的某一位置，这类位错称为分位错或不全位错。16.对于小角度晶界，晶界能随位向差的增大而提高；17.晶体表面结构的主要特点是存在着不饱和键力及范德瓦耳斯力；18.自然界的有些矿物或人工结晶的盐类等常具有规则的几何外形，表面常由最密排面及次密排面组成，这是一种低能的几何形态； 19.物理吸附是由范德华耳斯力作用而相互吸引的20.化学吸附来源于剩余的不饱和键力，吸附时表面与被吸附分子间发生了电子交换，电子或多或少地被两者所共有，其实质上是形成了化合物，即发生了强键结合。21.化学吸附的特点是吸附有选择性、
31、单层吸附，并且化学吸附的吸附热与化学反应热接近，明显大于物理吸附热。22.晶体材料的界面能会促使显微组织发生变化，尺寸较小的晶粒一定具有较少的边界数，边界向外弯曲；尺寸较大的晶粒边数大于6，晶界向内弯曲 ；只有6条边的晶粒晶界才是直线 。23.只有刃型位错才能发生攀移；24.螺位错是不能攀移的第五章 材料的相结构及相图1.合金相可分为价化合物、电子相和尺寸因数化合物三个主要类型 2.合金相可分为一次固溶体和中间相两大类。3.若A、B组元能形成连续固溶体则A、B结构必然相同；4.拉弗斯相是借大小原子排列的配合而实现的密排结构，它有3种典型组成结构： 5.相律是表示材料系统相平衡的热力学表达式，具
32、体表示系统自由度、组元数和相数之间的关系；6.相组成包括相的数目、成分及相对含量；7.相律是表示材料系统相平衡的热力学表达式，具体表示系统自由度、组元数和相数之间的关系。8.间隙固溶体只能形成有限固溶体 9.匀晶相图中两组元在液态、固态都无限互溶；10.固溶体凝固时，实际冷却在短时间内完成，固相来不及扩散，溶液只在固相表面建立平衡； 11.液相线与固相线间的水平距离和垂直距离越大，则固溶体的枝晶偏析越大，合金的流动性越差； 12.钢的共同点是在高温下都可以进入奥氏体单相区，铸铁的共同点是都含有共晶体。 13.珠光体较铁素体强度高，是因为细片状渗碳体分布在铁素体基体上，起了强化作用。14.相平衡
33、时，各组元在各相的化学位相等。第六章 材料凝固与气相沉积1.形核的必要条件有结构起伏、能量起伏、过冷度；2.凝固时在形核阶段，只有核胚半径等于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心。当形成的核胚其半径等于临界尺寸时，体系的自由能变化 大于零 3.过冷就是凝固的热力学条件；4.形核的充分条件是结构起伏、能量起伏、过冷度。5.过冷是凝固的热力学条件，在过冷的液相中是否有足够数量的晶胚达到临界尺寸，使凝固过程能以有用的速率进行是凝固过程的动力学条件；6.晶体生长所需动态过冷度远小于形核临界过冷度；7.晶体长大过程中，要使液固界面稳定迁移，就必须使界面能量始终保持最低状态，实验表明只有两种界面：光滑界面和
34、粗糙界面; 8.在液-固界面为正的温度梯度下，晶体生长按连续生长机制，呈平面式向液相中推进；在负的温度梯度下，晶体则呈树枝状向液体中生长；9.在负的温度梯度下，晶体则呈树枝状向液体中生长10.铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时，则固态显微组织主要为树枝晶 。11.典型的铸锭的组织包含细等轴晶区，柱状晶区，等轴晶区等3个区域；12.熔化焊时熔池各处凝固速度不同，柱状晶生长方向沿最大温度梯度方向；13.单晶体的凝固结晶学条件：只有一个晶核；动力学条件：1、液相温度稍高于熔点；2、液相界面温度稍低于固相熔点; 14.决定液体冷却时是否能结晶或形成玻璃的因数有冷速以及结构基元复杂与否等；15.
35、长链高分子的结晶在结构上有以下两个困难：(1)结构基元复杂；(2)已有链段的重排，只能通过所有各链段的缓慢扩散来完成。第七章 扩散与固态相变1.菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随 时间 变化。2.固体中的扩散机制有空位机制和间隙机制3.在柯肯达尔效应中，标记漂移主要原因是扩散偶中两组元的扩散速率不同 。4.若A和A-B合金焊接后发生克根达尔效应，测得界面向A试样方向移动，则A组元扩散速率大于B组元； 5.金属自扩散激活能应等于空位形成能和迁移激活能的总和；6.影响扩散系数的因数有多种，其中溶质原子的熔点越高，其在固溶体中的扩散系数越小；7.在912时铁的自扩散系数小于铁的自扩散系数8
36、.在同一种晶体的体积扩散系数、晶界扩散系数和表面扩散系数中，体积扩散系数最小，表面扩散系数最大；9.固态金属中，原子扩散的驱动力是 ；10.上坡扩散产生的主要原因是存在有化学位梯度或应力场11.上坡扩散时，原子扩散的驱动力是组元的化学势梯度 12.钢加热时，碳化物溶入奥氏体的过程是下坡扩散；而冷却时，碳化物析出的过程是上坡扩散。13.固态相变中形成的新相与母相的相界面包括共格、半共格和非共格界面；14.界面能一般可分为两部分：一部分是化学键能；另一部分是原子离开平衡位置引起的应变能。15.界面能包含化学键能和应变能； 16.在共格界面周围，点阵产生畸变，界面能中以应变能为主。17.在部分共格界
37、面上，共格区的界面能以应变能为主；而非共格区的位错处，界面能以化学键能为主。18.固态相变均匀形核时体积应变能和界面能的共同作用决定了新相的形状；19.固相共格形核时，当体积一定，新相为球状时，体积应变能最高，盘状最低，针状居中；20.固态相变的晶体成长机制包括扩散控制长大和界面控制长大 21.固态相变按是否发生扩散来分类可分为扩散型相变与非扩散型相变；22.调幅分解在形核时不需克服能垒，长大时却需要克服界面能和应变能23.调幅分解能否发生，必须取决于两个条件：1)合金成分必须在拐点范围之内；2)相变驱动力必须大于梯度能和应变能；24.相变时形状的变化有两个分量切变分量和膨胀分量，马氏体转变必
38、须有切变参与；25.相变过程决定于以下两个条件：、热力学条件：决定相变是否可能发生；、动力学条件：决定相变速率第八章 材料的变形与断裂1.材料的强度就是指对变形与断裂的抗力2.弹性形变是卸载后完全消失的形变，塑性形变是卸载后不能消失而残留下来的形变；3.金属材料的应力-应变图，除了像铸铁淬火高碳钢等少数脆性材料外，都有弹性变形、塑性变形和最后断裂三个阶段4.从拉伸试验可以获得弹性模量、规定非比例伸长应力、抗拉强度、断后伸长率、断面收缩率等以下几项力学性能；5.金属弹性变形的主要特点是变形是可逆的，去除外力后变形消失；应力与应变呈线性关系6.金属在常温下的变形以滑移、孪生为基本方式; 7.面心立
39、方晶体中的滑移系是 。8.滑移时一个滑移面和该面上一个滑移方向的组合称为滑移系。9.金属形变时，滑移是一种不均匀切变，孪生是一种均匀切变。10.滑移面两侧晶体位向不变，孪生面两边晶体位向不同11.面心立方晶体的孪晶面是 （lll） 。12.FCC、BCC、HCP三种晶体结构中，塑性变形时最容易生成孪晶的是 HCP ；13.图中 为单滑移、 为多滑移、 为交滑移14.晶粒越细，强度越高，塑、韧性越高15.固溶强化时，溶质原子含量越多，强化效果越好；溶剂与溶质原子半径差越大，强化效果越好；16.固溶强化时，溶剂与溶质原子价电子数差越大，强化效果越好；17.固溶强化时，间隙式溶质原子的强化效果高于置
40、换式溶质原子。18.变形强化与其他强化方法相比，虽然能最有效地提高强度，但塑性和韧性也降低得最多19.强化金属材料的各种手段的出发点都在于制造无缺陷的晶体或使位错运动的受到阻碍； 20.多晶体变形特点：第一是变形的传递，第二是变形的协调。21.通过加工硬化或变形强化金属，经变形后，其流变应力随变形程度的增加而增加；22.形变织构是多晶体材料由塑性变形导致的各晶粒呈择优取向的组织。23.随着变形程度的增加，变形的抗力也增加，要继续变形，必须增加外力，这种现象叫做加工硬化；24.金属冷变形时形成形变织构主要有丝织构和板织构；25.金属的断裂一般可分为 脆断与韧断 26.韧性是材料在断裂以前能够吸收的能量大小的量度。27.金属脆断过程就是裂纹的形成及扩展过程;28.冷变形金属在加热过程小要经历回复、再结晶、晶粒长大三个主要阶段；29.形变后的材料再升温时发生回复和再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在回复阶段；30.再结晶的驱动力是冷变形所产生储能的释放。31.影响金属及合金再结晶过程的重要因素有原始变形量、温度、时间、原始晶粒尺寸、金属或合金的成分；32.再结晶的驱动力是 储存能 ，再结晶完成后的晶粒长大的驱动力是 总界面能的减少。33.冷变形金属的再结晶虽然是 形核 与 长大 过
