1、第一部分自测题一、多项选择题1.下列选项中的参数与接收器有关的有（ ） A曝光量 B.光通量 C.亮度 D.照度 答案：AD2.光电探测器中的噪声主要包括（ ABCDE ）A热噪声 B.散粒噪声 C.产生复合噪声 D.1/f噪声 E 温度噪声3.光电技术中应用的半导体对光的吸收主要是（ AB ）A本征吸收 B.杂质吸收 C.激子吸收 D.自由载流子吸收 E 晶格吸收二、单项选择题1.被光激发产生的电子溢出物质表面，形成真空中的电子的现象叫做（） A内光电效应 B. 外光电效应 C.光生伏特效应 D.丹培效应 答案：B2.当黑体的温度升高时，其峰值光谱辐射出射度所对应的波长的移动方向为（） A.
2、向短波方向移动 B.向长波方向移动 C.不移动 D.均有可能 答案：A3.已知某He-Ne激光器的输出功率为8mW，正常人眼的明视觉和暗视觉最大光谱光是效能分别为683lm/W和1725lm/W，人眼明视觉光谱光视效率为0.24，则该激光器发出的光通量为（） A.3.31lx B.1.31lx C.3.31lm D.1.31lm答案：D4.半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子空穴对的现象成为本征吸收。 A.价带，导带 B.价带，禁带 C.禁带，导带 D.导带，价带答案：A5.一个电阻值为1000欧姆的电阻，在室温下，工作带宽为1Hz时，热噪声均方电压为 答案 BA 3nV B 4nV
3、 C 5nV D 6nV6.用照度计测得某环境下的照度值为1000lx，该环境可能是（B） A阳光直射 B阴天室外 C 工作台 D 晨昏蒙影 7.已知某辐射源发出的功率为1W，该波长对应的光谱光视效率为0.5，则该辐射源辐射的光通量为（B）A 683lm B341.5lm C 1276lm D 638lm8.为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐射度量是 （D ） A 辐射照度 B 辐射强度 C 辐射出度 D 辐射亮度9. 电磁波谱中可见光的波长范围为A0.380.78um B 0.381um C 13um D 812um答案：A10. 已知一束激光功率为30mW、波长为
4、0.6328um，普朗克常数则该激光束的光子流速率N为（A）。 A. 9.551016个/秒B. 9.551019个/秒C. 2.871025个/秒D. 2.871022个/秒11. 某半导体光电器件的长波限为13um，其杂质电离能为（B） A. B. C. D. 12. 100W标准钨丝灯在0.2sr范围内所发出的辐射通量为（A） A. B. C. D. 13. 已知甲、乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为，则甲乙两厂中光电器件灵敏度比较结果正确的是（B）A. 甲场灵敏度高 B. 乙场灵敏度高 C. 甲乙两场灵敏度一样高 D. 无法比较14. 光电发射材料的光
5、电发射长波限为680nm，该光电发射材料的光电发射阈值的大小为（D）A. B. C. D. 15. 已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4um，则该材料的禁带宽度为（B） A. B. C. D. 三、判断题1. 比探测率是一个与工作频率、测量带宽无关的常数。 （错）2. 探测率是一个反映探测器探测能力的物理量，探测率越大，说明探测器的探测能力越强。（对）3. 噪声等效功率是信噪比为1时，入射到探测器上的信号辐射通量。（对）4. 1/f噪声是一种低频噪声，几乎所有探测器中都存在这种噪声。（对）5. 量子效率是在特定波长下单位时间内产生的平均光电子数与入射光子数之比。（对）6. 若金属溢出功为W
6、，则长波限为1.24/W(nm).(错)7. 光通量的单位是坎德拉。(错)8. 辐射通量与光通量的单位是相同的。(错)9. 朗伯辐射体的辐射出射度等于他的辐射亮度。（错）10. 被照明物体表面的辐射照度和光源与物体表面的距离平方成反比。（对）11. 辐射出射度Me与辐射照度Ee的定义式都是：某点处面元的辐通量除以改面元的面积的商，所以这两个物理量是具有相同的概念。（错）12. 发光方式主要有电致发光，光致发光，化学发光和热发光。（对）13. 发光强度的单位是坎德拉（cd）,其定义为：在给定方向上能发射的单色辐射源，在此方向上的辐强度为（1/683）W/sr，其发光强度定义为1cd。（对）14.
7、 在对具有一定量度和颜色的非黑体辐射体的温度标测中，亮温度与实际温度的偏差最小，色温度次之，辐射温度与实际温度的偏差最大。（错）15. 波长长于本征吸收的光波长波限的入射辐射能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。（错）16. 杂志吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。（对）17. 可以引起光电效应的光吸收包括本征吸收，杂质吸收，激子吸收，自由载流子吸收和晶格吸收。（错）18. 在弱辐射作用的情况下，半导体的光电导效应与入射辐射通量的关系是线性的。（对）19. 光生伏特效应能将光能转换成电能。（对）20. 外光电效应是半导体光电器件、真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。
8、（错）第二部分 常用光辐射源 自测题一、多项选择题1.常用的激光器有（）A. 气体激光器 B.液体激光器 C.固体激光器 D.染料激光器 E 半导体激光器答案：A C D E2.按发光机理分类，常用光源有（ABCD）A. 发光二极管 B.激光器 C.气体放电 D.热辐射 E 太阳二、单项选择题1.低压汞灯光谱为（）。A. 线状光谱 B.带状光谱 C.连续光谱 D.混合光谱答案：A2.高压钠灯光谱为（）。A. 线状光谱 B.带状光谱 C.连续光谱 D.混合光谱答案：B3. 高压钠灯光谱为（）。A. 线状光谱 B.带状光谱 C.连续光谱 D.混合光谱答案：B4.白炽灯光谱为（ ）A. 线状光谱 B
9、.带状光谱 C.连续光谱 D.混合光谱答案：C5. 荧光灯光谱为（ ）A. 线状光谱 B.带状光谱 C.连续光谱 D.混合光谱答案：D6.某光源的发光效率为90100lm/W，该光源可能是（ ）A. 普通荧光灯 B.高压汞灯 C.高压钠灯 D.卤钨灯答案：C7.连续波半导体激光器输出功率约为（ ）A. 小于1mW B.几毫瓦到数百毫瓦 C.几瓦 D.几百瓦答案：B8. 黑体是指（ ）A.反射为1 B.吸收为1 C.黑色的物质 D.不发射电磁波答案：B三、判断题1. 发光效率是光源发射的光通量与所需的电功率之比。（对）2. GaAs的开启电压约为1V。（对）3. 物体温度升高时，辐射峰值波长向长
10、波方向移动。（错）4. 氮化物蓝或紫LED的管芯中加上三基色荧光粉可激发出白光，成为白光LED。（对）5. 超高亮度LED是指辐射功率高，法向发光强度在1000mcd以上的LED，光效可以达到50100lm/W。（对）6. 发光二极管辐射光的峰值波长与材料的禁带宽度Eg无关。（错）7. LED发出的光是基于受激辐射，发出的是相干光。（错）8. 普通钨丝灯的发光效率约为818lm/W。（对）9. LED的寿命通常小于106小时。（错）10. 通常利用半导体激光器（LD）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制。（对）第三部分 光电导探测器 自测题一、多项选择题1.（多选）下列光电导器
11、件中那些属于本证光电导器件（ BCDE）A锗掺汞 B.硫化镉 C.硫化铅 D.锑化汞 E 碲鎘汞2.光电导器件的噪声主要有（ ABC ）A热噪声 B.1/f噪声 C.产生与复合噪声 D.散粒噪声 二、单项选择题1.光电导的单位（ B ）A.欧姆 B.西门子 C.流明 D 勒克斯2.氮化镓光电导器件的光谱响应范围为（ A ）A.200365nm B.400700nm C.7001100nm D 17um3.硫化镉光电导器件的光谱响应范围为（ B ）A.200365nm B.400700nm C.7001100nm D 17um4.常温硫化铅光电导器件的光谱响应范围为（ D ）A.200365nm
12、 B.400700nm C.7001100nm D 0.43um5. 常温碲化铟光电导器件的光谱响应范围为（ C ）A.200365nm B.400700nm C.17.5um D 0.43um6.设某光敏电阻在100lx光照下的阻值为2，且已知它在90120lx范围内的。则该光敏电阻在110lx光照下的阻值为（C）。 A2224.6 B1999.9 C. 1873.8 D.935.27. 假设某只CdS光敏电阻的最大功耗是30mW，光电导灵敏度，暗电导。当CdS光敏电阻上的偏置电压为20V是的极限照度为（D）。 A. 150lx B.22500lx C.2500lx D. 150lx和225
13、00lx 8.光电导探测器的特性受工作温度影响（B）。 A.很小 B.很大 C.不受影响 D.不可预知三、判断题1.由于电子的迁移率比空穴大，因此通常用P型材料制成光电导器件。（错）2.本征光电导器件的长波限可以达到130um。（错）3.弱辐射情况下，本征光电导与入射辐射通量成正比。（对）4.材料确定后，光敏电阻的光照指数是一个常数。（错）5.前历效应是指光电导探测器的时间特性与工作前历史有关的一种现象。（对）6.光电导器件的时间响应都较小，适合于探测窄脉冲光信号。（错）7.当光电导器件接收交变调制光时，随调制光频率的增加，其输出会减小。（对）8.光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移
14、动。（错）9光敏电阻光敏面做成蛇形状，有利于提高灵敏度。（对）10.光敏电阻的恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。（错）11. 光电导器件在方波辐射的作用下，其上升时间大于小将时间。（错 ）12. 在测量某光电导器件的值时，背景光照越强，其值越小。（对 ）13. 光敏电阻在恒压偏置电路比恒流偏置电路的电压灵敏度要高一些。（错 ）14. 光敏电阻的阻值与环境温度有关，温度升高光敏电阻的阻值也随之升高。（错）15. 光敏电阻的前例效应是由于被光照过后所产生的光生电子与空穴的复合而需要很长的时间，而且，随着复合的进行，光生电子与空穴的浓度与复合机率不断减小，使得光敏电阻恢复被照前的阻值需
15、要很长时间这一特性的描述。（ 错）第四部分 光伏探测器自测题一、多项选择题1.光伏探测器的响应时间主要由（ ）因素决定A.光生载流子扩散到结区的时间 B.光生载流子的漂移时间 C.结电容和负载电阻决定的时间常数 答案：ABC2.光伏器件的噪声主要有（ ）A热噪声 B.1/f噪声 C.产生与复合噪声 D.散粒噪声答案：AD3.光伏探测器的光电特性主要与（ ）有关A材料 B.光照范围 C.负载大小 D.外加电压答案：ABCD4.光伏探测器在正常使用时，常用的偏置方式有（ ）A自偏置 B.零偏置 C.反向偏置 D.正向偏置 E.恒压偏置二、单项选择题1.若要检测脉宽为10-7s的光脉冲，应选用（）为
16、光电变换器件。A.PIN型光电二极管 B.3DU型光电三极管 C.PN结型光电二极管 D.硅光电池答案：A2. 用光电法测量某高速转轴的转速时，最好选用（ ）为光电接收器件。A.PMT B.CdS光敏电阻 C.2CR42硅光电池 D.3DU型光电三极管答案：D3.硅光电池在（ ）偏置时，其光电流与入射辐射量有良好的线性关系，且动态范围较大。A.恒流 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置答案 D4.硅光电池在（ ）情况下有最大的输出功率。A.开路 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置答案：B5. 通常光伏探测器的扩散时间为（ ）A10-9s B.10-10s C.10-11s D.10-12
17、s答案：A6.通常光伏探测器的漂移时间为（ ）A10-9s B.10-10s C.10-11s D.10-12s答案：C7.硅光电池的最高截止频率通常为（ ）A几千赫兹 B.几万赫兹 C.几十万赫兹 D.几百万赫兹答案：B8.硅光电池的受光面的输出多做成梳齿状或E字形电极，其目的是（B ）。A增大内电阻 B.减小内电阻 C. 简化制作工艺 D.约定俗成9.硅光电三极管偏置电压为零，现在逐渐增强其光照度，则此时光电三极管集电极电流的变化为（D）。A电流不断增大 B.电流逐渐减小 C.电流逐渐增大，到一定程度后趋于稳定 D电流大小始终为零10.为了提高光电二极管短波段波长的光谱响应，下面可以采取的
18、措施是（D）。A.增强短波波长光谱的光照强度 B.增强长波波长光谱的光照强度 C.增加PN节厚度 D.减薄PN节厚度11.用光电法测量某高速转轴（15000r/min）的转速时，最好选用（D ）为光电接收器件。A.PMT B.CdS光敏电阻 C.2CR42硅光电池 D.3DU型光电三极管12.若要检测脉宽为的光脉冲，应选用（A ）为光电变换器件。A.PIN型光电二极管 B.3DU型光电三极管 C.PN结型光电二极管 D.2硅光电池13.硅光电池在（D）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。A.恒流 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置14.硅光电池在（B）情况下有最
19、大的电流输出。A.开路 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置15光伏器件的自偏置电路主要用于（ B ）器件A.光电三极管 B.光电池 C.PSD位置传感器 D.象探测器16.下列光电器件中可以作为继电器的是（ B ）A.色敏器件 B.光耦合器 C.PSD D.象探测器17.下列光电器件中可以精确测量位置的是（ C ）A.色敏器件 B.光耦合器 C.PSD D.象探测器三、判断题1.光伏探测器的暗电流是一个确定的常数。（错）2.光伏器件外加反向偏压时，暗电流随反向偏压的增加有所增大，最后趋近于反向饱和电流。（对）3.自偏压是指光伏探测器的输出电流流过外电路负载电阻产生的压降就是他自身的正向偏压
20、。（对）4.光电池的主要用途为太阳能光电池和测量光电池。（对）5.雪崩光电二极管的最佳工作点在接近雪崩击穿点附近。（对）6.硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。（错）7.光电池通常工作在自偏置状态，用作弱光信号的线性测量或强光信号的存在探测。（对）8.光伏效应对光的吸收主要为非本征吸收。（错）9.用双结光电二极管作颜色测量时，可以测出其中两个硅光电二极管的短路电流比的对数值与入射光波长的关系。（对）10.PSD是利用位置离子注入技术制成的一种对入射到光敏面上的光点位置敏感的光电器件。（对）第五部分 光电子发射探测器一、多项选择题1.下面选项中属于光电倍增管产生暗电流的原因有( ABCD )
21、。 A欧姆漏电 B.热发射 C.残余气体放电 D场致发射 2.光电倍增管的短波限和长波限的决定因素有（BC）A.光电阳极材料 B.光电阴极材料 C.窗口材料 D.倍增级材料3.常规光电阴极材料有（ABCD）A.银氧铯 B.单碱锑化物 C.多碱锑化物 D.碲化铯 E 负电子亲和势4.光电倍增管的时间特性主要有（ ABC ）参数A.响应时间 B.渡越时间 C.渡越时间分散 D.扩散时间5.下列信号中，可以使用光电倍增管进行探测的有（AD）。 A.微弱可见光信号 B.强紫外光信号C.正午太阳光信号 D.快速脉冲弱光信号6.下列选项中，符合光电倍增管电子光学系统作用的选项有（AB）。 A.将光电阴极发
22、射的光电子尽可能多的汇聚到第一倍增级 B.使光电阴极发射的光电子到达第一倍增级的渡越时间零散最小 C.使达到第一倍增级的光电子能多于光电阴极的发射光电子量 D.使进入光电倍增管的光子数增加二、单项选择题1.光电子发射探测器是基于（B）的光电探测器。 A内光电效应 B. 外光电效应 C.光生伏特效应 D.光热效应2.已知某光电倍增关的阳极灵敏度为100A/lm，阴极灵敏度为2A/lm，要求阳极输出电流限制在100A范围内，则允许的最大入射光通量为（A）。 A. B. C. D. 3.真空光电器件的响应速度可以达到（C）量级。 A.usB.nsC.psD.fs4.在光电倍增管中，吸收光子能量发射光
23、电子的部件是（B）。 A.光入射窗B. 光电阴极 C.光电倍增级 D. 光电阳极5.在较强辐射作用下倍增管灵敏度下降的现象称为（D）。 A.失效B.衰老C.失误D.疲劳三、判断题1.负电子亲和势光电阴极是真空能级在导带之下，从而使有效的电子亲和势为负值。（对）2.NEA材料的量子效率比常规光电子阴极材料高很多。（对）3.光电倍增极在使用过程中对入射光没有特殊要求。（错）4.测量阳极灵敏度时，入射到阴极上的光通量大约在10-510-2lm。（错）5.光电倍增管分压电阻通常要求流过电阻链的电流比阳极最大电流大10倍以上。（对）6.光电倍增管的电流增益通常不超过105。（错）7.光电倍增管增益定义为
24、阳极电流与阴极电流之比，或阳极灵敏度与阴极灵敏度之比。（对）8.光电倍增管的倍增极通常是大于12。(错)9.光电倍增管的噪声主要是散粒噪声。（对）10.光电倍增管分压电阻链上的电流值通常要比阳极最大平均电流大10倍以上。（对）第六部分 热探测器一、多项选择题1.常用的热辐射探测器主要有( ABC )。 A热电偶 B.测辐射热计 C.热释电探测器 D红外焦平面阵列 三、判断题1.光热效应是指探测器将吸收的光能转换为热能，温度升高，使探测器某些物理性质发生变化。（对）第七部分 光电成像器件一、多项选择题1.直视型光电器件由几部分组成（ABCD ）A图像转换 B.增强 C.显示 D高真空管壳 E 阳
25、极2.像管由以下几部分组成（ ACD ）A光电阴极 B.光电阳极 C.电子透镜 D荧光屏 E 倍增级3电荷耦合器件的几个工作过程分为（ABCD ）A电荷包的产生 B.电荷包耦合 C.电荷包存储 D电荷包检测 E MOS电容器4.CCD的基本单元由以下几部分组成（ ABC ）A金属 B.氧化物 C.半导体 D光电阴极 E 光电阳极5.二相线阵CCD正常工作所需要的工作脉冲有（ABC ）A驱动脉冲 B.复位脉冲 C.转移脉冲 D行选通脉冲 E 列选通脉冲6.光电摄像器件应具有的基本功能有（ABC ）A光电变换 B.光电信号存储 C.扫描输出 D光电二极管 E MOS电容二、单项选择题1.对于P-2
26、0荧光屏，通常情况下1个20keV的光电子可以产生（ A ）多个光子。A1000 B.300 C.100 D.10三、判断题1.摄像型光电成像是一种可以直接输出图像的器件。（错）2.光谱匹配是指像管的光谱响应范围内，光源与光电阴极、光电阴极与荧光屏以及荧光屏与人眼视觉函数之间的光谱分配匹配。（对）3.固体摄像器件的光电信号的读取与输出不是借助外界的扫描机构，而是依靠自身内部的驱动脉冲来完成。（对）4.二相线阵CCD两路驱动脉冲的相位差是120度。（错）5.像管可以分为变像管和图像增强管。（ 对 ）6.级联式图像增强管的亮度增益可达105。（ 对 ）第1章 试题库一、填空题（建议较易填空每空0.
27、5分，较难填空每空1分）1、电流所经过的路径叫做 电路 ，通常由 电源 、 负载 和 中间环节 三部分组成。2、实际电路按功能可分为电力系统的电路和电子技术的电路两大类，其中电力系统的电路其主要功能是对发电厂发出的电能进行 传输 、 分配 和 转换 ；电子技术的电路主要功能则是对电信号进行 传递 、 变换 、 存储 和 处理 。3、实际电路元件的电特性 单一 而 确切 ，理想电路元件的电特性则 多元 和 复杂 。无源二端理想电路元件包括 电阻 元件、 电感 元件和 电容 元件。4、由 理想电路 元件构成的、与实际电路相对应的电路称为 电路模型 ，这类电路只适用 集总 参数元件构成的低、中频电路
28、的分析。5、大小和方向均不随时间变化的电压和电流称为 稳恒直流 电，大小和方向均随时间变化的电压和电流称为 交流 电，大小和方向均随时间按照正弦规律变化的电压和电流被称为 正弦交流 电。6、 电压 是电路中产生电流的根本原因，数值上等于电路中 两点电位 的差值。7、 电位 具有相对性，其大小正负相对于电路参考点而言。8、衡量电源力作功本领的物理量称为 电动势 ，它只存在于 电源 内部，其参考方向规定由 电源正极高 电位指向 电源负极低 电位，与 电源端电压 的参考方向相反。9、电流所做的功称为 电功 ，其单位有 焦耳 和 度 ；单位时间内电流所做的功称为 电功率 ，其单位有 瓦特 和 千瓦 。
29、10、通常我们把负载上的电压、电流方向称作 关联 方向；而把电源上的电压和电流方向称为 非关联 方向。11、 欧姆 定律体现了线性电路元件上电压、电流的约束关系，与电路的连接方式无关； 基尔霍夫 定律则是反映了电路的整体规律，其中 KCL 定律体现了电路中任意结点上汇集的所有 支路电流 的约束关系， KVL 定律体现了电路中任意回路上所有 元件上电压 的约束关系，具有普遍性。12、理想电压源输出的 电压 值恒定，输出的 电流值 由它本身和外电路共同决定；理想电流源输出的 电流 值恒定，输出的 电压 由它本身和外电路共同决定。13、电阻均为9的形电阻网络，若等效为Y形网络，各电阻的阻值应为 3
30、。14、实际电压源模型“20V、1”等效为电流源模型时，其电流源 20 A，内阻 1 。15、直流电桥的平衡条件是 对臂电阻的乘积 相等；负载上获得最大功率的条件是 电源内阻 等于 负载电阻 ，获得的最大功率 US2/4R0 。16、如果受控源所在电路没有独立源存在时，它仅仅是一个 无源 元件，而当它的控制量不为零时，它相当于一个 电源 。在含有受控源的电路分析中，特别要注意：不能随意把 控制量 的支路消除掉。二、判断下列说法的正确与错误（建议每小题1分）1、集总参数元件的电磁过程都分别集中在各元件内部进行。 （ ）2、实际电感线圈在任何情况下的电路模型都可以用电感元件来抽象表征。 （ ）3、
31、电压、电位和电动势定义式形式相同，所以它们的单位一样。 （ ）4、电流由元件的低电位端流向高电位端的参考方向称为关联方向。 （ ）5、电功率大的用电器，电功也一定大。 （ ）6、电路分析中一个电流得负值，说明它小于零。 （ ）7、电路中任意两个结点之间连接的电路统称为支路。 （ ）8、网孔都是回路，而回路则不一定是网孔。 （ ）9、应用基尔霍夫定律列写方程式时，可以不参照参考方向。 （ ）10、电压和电流计算结果得负值，说明它们的参考方向假设反了。 （ ）11、理想电压源和理想电流源可以等效互换。 （ ）12、两个电路等效，即它们无论其内部还是外部都相同。 （ ）13、直流电桥可用来较准确地测
32、量电阻。 （ ）14、负载上获得最大功率时，说明电源的利用率达到了最大。 （ ）15、受控源在电路分析中的作用，和独立源完全相同。 （ ）16、电路等效变换时，如果一条支路的电流为零，可按短路处理。 （ ）三、单项选择题（建议每小题2分）1、当电路中电流的参考方向与电流的真实方向相反时，该电流（ B ）A、一定为正值 B、一定为负值 C、不能肯定是正值或负值2、已知空间有a、b两点，电压Uab=10V，a点电位为Va=4V，则b点电位Vb为（ B ）A、6V B、6V C、14V3、当电阻R上的、参考方向为非关联时，欧姆定律的表达式应为（ B ）A、 B、 C、4、一电阻R上、参考方向不一致，
33、令=10V，消耗功率为0.5W，则电阻R为（ A ）A、200 B、200 C、2005、两个电阻串联，R1：R2=1：2，总电压为60V，则U1的大小为（ B ）A、10V B、20V C、30V6、已知接成Y形的三个电阻都是30，则等效形的三个电阻阻值为（ C ）A、全是10 B、两个30一个90 C、全是907、电阻是（ C ）元件，电感是（ B ）的元件，电容是（ A ）的元件。A、储存电场能量 B、储存磁场能量 C、耗能8、一个输出电压几乎不变的设备有载运行，当负载增大时，是指（ C ）A、负载电阻增大 B、负载电阻减小 C、电源输出的电流增大9、理想电压源和理想电流源间（ B ）A
34、、有等效变换关系 B、没有等效变换关系 C、有条件下的等效关系10、当恒流源开路时，该恒流源内部（ B ）A、有电流，有功率损耗 B、无电流，无功率损耗 C、有电流，无功率损耗第2章 试题库一、填空题（建议较易填空每空0.5分，较难填空每空1分）1、凡是用电阻的串并联和欧姆定律可以求解的电路统称为 简单 电路，若用上述方法不能直接求解的电路，则称为 复杂 电路。2、以客观存在的支路电流为未知量，直接应用 KCL 定律和 KVL 定律求解电路的方法，称为 支路电流 法。3、当复杂电路的支路数较多、回路数较少时，应用 回路 电流法可以适当减少方程式数目。这种解题方法中，是以 假想 的 回路 电流为
35、未知量，直接应用 KVL 定律求解电路的方法。4、当复杂电路的支路数较多、结点数较少时，应用 结点 电压法可以适当减少方程式数目。这种解题方法中，是以 客观存在 的 结点 电压为未知量，直接应用 KCL 定律和 欧姆 定律求解电路的方法。5、当电路只有两个结点时，应用 结点电压 法只需对电路列写 1 个方程式，方程式的一般表达式为 ，称作 弥尔曼 定理。6、在多个电源共同作用的 线性 电路中，任一支路的响应均可看成是由各个激励单独作用下在该支路上所产生的响应的 叠加 ，称为叠加定理。7、具有两个引出端钮的电路称为 二端 网络，其内部含有电源称为 有源二端 网络，内部不包含电源的称为 无源二端
36、网络。8、“等效”是指对 端口处等效 以外的电路作用效果相同。戴维南等效电路是指一个电阻和一个电压源的串联组合，其中电阻等于原有源二端网络 除源 后的 入端 电阻，电压源等于原有源二端网络的 开路 电压。9、为了减少方程式数目，在电路分析方法中我们引入了 回路 电流法、 结点 电压法； 叠加 定理只适用线性电路的分析。10、在进行戴维南定理化简电路的过程中，如果出现受控源，应注意除源后的二端网络等效化简的过程中，受控电压源应 短路 处理；受控电流源应 开路 处理。在对有源二端网络求解开路电压的过程中，受控源处理应与 独立源的 分析方法相同。二、判断下列说法的正确与错误（建议每小题1分）1、叠加
37、定理只适合于直流电路的分析。 （ ）2、支路电流法和回路电流法都是为了减少方程式数目而引入的电路分析法。（ ）3、回路电流法是只应用基尔霍夫第二定律对电路求解的方法。 （ ）4、结点电压法是只应用基尔霍夫第二定律对电路求解的方法。 （ ）5、弥尔曼定理可适用于任意结点电路的求解。 （ ）6、应用结点电压法求解电路时，参考点可要可不要。 （ ）7、回路电流法只要求出回路电流，电路最终求解的量就算解出来了。 （ ）8、回路电流是为了减少方程式数目而人为假想的绕回路流动的电流。 （ ）9、应用结点电压法求解电路，自动满足基尔霍夫第二定律。 （ ）10、实用中的任何一个两孔插座对外都可视为一个有源二端
38、网络。 （ ）三、单项选择题（建议每小题2分）1、叠加定理只适用于（ C ）A、交流电路 B、直流电路 C、线性电路2、自动满足基尔霍夫第一定律的电路求解法是（ B ）A、支路电流法 B、回路电流法 C、结点电压法3、自动满足基尔霍夫第二定律的电路求解法是（ C ）A、支路电流法 B、回路电流法 C、结点电压法4、必须设立电路参考点后才能求解电路的方法是（ C ）A、支路电流法 B、回路电流法 C、结点电压法5、只适应于线性电路求解的方法是（ C ）A、弥尔曼定理 B、戴维南定理 C、叠加定理第1章 试题库一、填空题（建议较易填空每空0.5分，较难填空每空1分）1、正弦交流电的三要素是指正弦量
39、的 最大值 、 角频率 和 初相 。2、反映正弦交流电振荡幅度的量是它的 最大值 ；反映正弦量随时间变化快慢程度的量是它的 频率 ；确定正弦量计时始位置的是它的 初相 。3、已知一正弦量，则该正弦电流的最大值是 7.07 A；有效值是 5 A；角频率是 314 rad/s；频率是 50 Hz；周期是 0.02 s；随时间的变化进程相位是 314t-30电角 ；初相是 30 ；合 /6 弧度。4、正弦量的 有效 值等于它的瞬时值的平方在一个周期内的平均值的 开方 ，所以 有效 值又称为方均根值。也可以说，交流电的 有效 值等于与其 热效应 相同的直流电的数值。5、两个 同频率 正弦量之间的相位之
40、差称为相位差， 不同 频率的正弦量之间不存在相位差的概念。6、实际应用的电表交流指示值和我们实验的交流测量值，都是交流电的 有效 值。工程上所说的交流电压、交流电流的数值，通常也都是它们的 有效 值，此值与交流电最大值的数量关系为： 最大值是有效值的1.414倍 。7、电阻元件上的电压、电流在相位上是 同相 关系；电感元件上的电压、电流相位存在 正交 关系，且电压 超前 电流；电容元件上的电压、电流相位存在 正交 关系，且电压 滞后 电流。8、 同相 的电压和电流构成的是有功功率，用P表示，单位为 W ； 正交 的电压和电流构成无功功率，用Q表示，单位为 Var 。9、能量转换中过程不可逆的功
41、率称 有 功功率，能量转换中过程可逆的功率称 无 功功率。能量转换过程不可逆的功率意味着不但 有交换 ，而且还有 消耗 ；能量转换过程可逆的功率则意味着只 交换 不 消耗 。10、正弦交流电路中，电阻元件上的阻抗= R ，与频率 无关 ；电感元件上的阻抗= XL ，与频率 成正比 ；电容元件上的阻抗= XC ，与频率 成反比 。二、判断下列说法的正确与错误（建议每小题1分）1、正弦量的三要素是指它的最大值、角频率和相位。 （ ）2、超前为45电角。 （ ）3、电抗和电阻的概念相同，都是阻碍交流电流的因素。 （ ）4、电阻元件上只消耗有功功率，不产生无功功率。 （ ）5、从电压、电流瞬时值关系式来看，电感元件属于动态元件。 （ ）6、无功功率的概念可以理解为这部分功率在电路中不起任何作用。 （ ）7、几个电容元件相串联，其电容量一定增大。 （ ）8、单一电感元件的正弦交流电路中，消耗的有功功率比较小。 （ ）三、单项选择题（建议每小题2分）1、在正弦交流电路中，电感元件的瞬时值伏安关系可表达为（ C ）A、 B、ujiL C、2、已知工频电压有效值和初始值均为380V，则该电压的瞬时值表达式为（ B ）A、V B、VC、V3、
