同济模拟电路试题库.doc

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课程:模拟电子技术 一 填空题 1P型半导体可通过在纯净的半导体中掺入 价元素杂质获得,N型半导体可通 过在纯净的半导体中掺入 价元素杂质获得。注释:P11通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,便可得到杂质半导体。按掺入杂质元素的不同,可形成N型半导体和P型半导体;控制掺入杂质的浓度,就可控制杂质半导体的导电性能。P11-12掺入五价元素形成N型半导体,由于杂质原子的最外层有五个价电子,所以除了与周围硅原子形成共价键外,还多出一个电子。N型半导体中自由电子是多数载流子(简称多子),空穴为少数载流子(简称少子)。主要靠自由电子导电。P12掺入三价元素形成P型半导体,由于杂质原子的最外层有三个价电子,所以与周围硅原子形成共价键时,产生一个空位(即空穴)。P型半导体中自由电子是少数载流子,空穴为多数载流子。主要靠空穴导电。 2要给PN结加正偏,应在其P端接电源的 极,而在其N端接电源的 极。注释:P13PN结的形成 采用不同的掺杂工艺,将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上。P13在它

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