1、第1章 半导体二极管、三极管和场效应管,1.2 PN结,1.3 半导体二极管,1.4 稳压管,1.5 半导体三极管,1.6 绝缘栅场效应管,第1章 目录,1.1 半导体的导电特性,在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。,把纯净的没有结构缺陷的半导体单晶称为本征半导体。 它是共价键结构。,本征半导体的共价键结构,第1章 1.1,1.1.1 本征半导体,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,1.1 半导体的导电特性,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,自由电子,空穴,在常温下自由电子和空穴的形成,成对出现,成对消失,第1章 1.1,+4,+4,+4,
2、+4,+4,+4,+4,+4,+4,外电场方向,空穴导电的实质是共价键中的束缚电子依次填补空穴形成电流。故半导体中有电子和空穴两种载流子。,在外电场作用下，电子和空穴均能参与导电。,价电子填补空穴,第1章 1.1,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,1.1.2 P半导体和N型半导体,1 . N 型半导体,在硅或锗的晶体中 掺入少量的五价元 素,如磷,则形成N型半导体。,多余价电子,第1章 1.1,N 型半导体结构示意图,在N型半导中,电子是多数载流子, 空穴是少数载流子。,第1章 1.1,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,空穴,2. P型半导体,在硅或锗的晶体中 掺入少量的
3、三价元 素,如硼,则形成P 型半导体。,+4,第1章 1.1,P 型半导体结构示意图,第1章 1.1,P 区,N 区,1.2.1 PN 结的形成,用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上,形成 P型半导体区域 和 N型半导体区域,在这两个区域的交界处就形成了一个PN 结。,1.2 PN 结,第1章 1.2,多子扩散,少子漂移,内电场方向,空间电荷区,P 区,N 区,在一定的条件下，多子扩散与少子漂移达到动态平衡， 空间电荷区的宽度基本上稳定下来。,第1章 1.2,内电场方向,R,1.2.2 PN 结的单向导电性,P 区,N 区,外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷,N区电子进入空
4、间电荷区抵消一部分正空间电荷,扩散运动增强，形成较大的正向电流,1. 外加正向电压,第1章 1.2,P 区,N 区,内电场方向,R,2. 外加反向电压,外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走,少数载流子越过PN结形成很小的反向电流,多数载流子的扩散运动难于进行,第1章 1.2,1.2.3 PN结电容,PN结电容,势垒电容,扩散电容,1. 势垒电容,PN结中空间电荷的数量随外加电压变化所形成的电容称为势垒电容，用 Cb 来表示。势垒电容不是常数，与PN结的面积、空间电荷区的宽度和外加电压的大小有关。,载流子在扩散过程中积累的电荷量随外加电压变化所形成的电容称为扩散电容，用 Cd 与来示。
5、PN正偏时，扩散电容较大，反偏时，扩散电容可以忽略不计。,2. 扩散电容,第1章 1.2,点接触型二极管,1.3.1 二极管的结构和符号,1.3 半导体二极管,第1章 1.3,600,400,200, 0.1, 0.2,0,0.4,0.8,50,100,I / mA,U / V,正向特性,反向击穿特性,硅管的伏安特性,1.3.2 二极管的伏安特性,第1章 1.3,1.3.3 二极管的主要参数,1. 最大整流电流IOM,2. 反向工作峰值电压URM,3. 反向峰值电流IRM,例1：下图中，已知VA=3V， VB=0V， DA 、DB为锗管，求输出端Y的电位并说明二极管的作用。,解： DA优先导通
6、，则,VY=30.3=2.7V,DA导通后, DB因反偏而截止,起隔离作用, DA起钳位作用,将Y端的电位钳制在+2.7V。,二极管的应用范围很广,它可用与整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件。,第1章 1.3,D,E3V,R,ui,uo,uR,uD,例2：下图是二极管限幅电路，D为理想二极管，ui = 6 sin t V, E= 3V,试画出 uo波形 。, t, t,ui / V,uo /V,6,0,0,2,第1章 1.3, t,6,0,2,例3：双向限幅电路, t,0,D,E3V,R,D,E3V,第1章 1.3,ui,uo,uR,uD,ui / V,uo /V,1.4
7、稳压管,IF,UF,0,伏安特性,稳压管是一种特殊的面接触型半导体二极管。,第1章 1.4,0,稳压管的主要参数,2. 最小稳定电流 Imin,3. 最大稳定电流 IZmax,4. 动态电阻 RZ,IZ,UZ,5. 电压温度系数 VZT,6. 最大允许耗散功率PM,第1章 1.4,IF,UF,Imin,IZmax,N型硅,N+,P型硅,1.5.1 半导体三极管的结构,（a） 平面型,1. 5 半导体三极管,第1章 1.5,1. NPN 型三极管,集电区,集电结,基区,发射结,发射区,N,N,集电极C,基极B,发射极E,三极管的结构 分类和符号,P,第1章 1.5,集电区,集电结,基区,发射结,
8、发射区,C,B,E,N,集电极C,发射极E,基极B,N,P,P,N,2. PNP型三极管,第1章 1.5,EC,RC,IC,UCE,C,E,B,UBE,共发射极接法放大电路,1.5.2 三极管的电流控制作用,三极管具有电流控制作用的外部条件 :,（1）发射结正向偏置；,（2）集电结反向偏置。,对于NPN型三极管应满足: UBE 0UBC VB VE,对于PNP型三极管应满足: UEB 0UCB 0即 VC VB IB,同样有: IC IB,所以说三极管具有电流控制作用,也称之为电流放大作用。,UCE 1V,1. 三极管的输入特性,1.5.3 三极管的特性曲线,第1章 1.5,IB =40A,I
9、B =60A,IB = 20A,2. 三极管的输出特性,第1章 1.5,IC / mA,UCE /V,0,三极管输出特性上的三个工作区,IB= 0 A,20A,40 A,60 A,80 A,第1章 1.5,1.5.4 三极管的主要参数,1. 电流放大系数,(1) 直流电流放大系数,(2) 交流电流放大系数,2. 穿透电流 ICEO,3. 集电极最大允许电流 ICM,4. 集-射反相击穿电压 U(BR)CEO,5. 集电极最大允许耗散功率 PCM,第1章 1.5,60A,0,20A,1.5,2.3,在输出特性上求, , ,设UCE=6V, IB由40A加为60A 。,第1章 1.5,IC / m
10、A,UCE /V,IB =40A,6,0,IB= 0 A,20A,40 A,60 A,80 A,由三极管的极限参数确定安全工作区,第1章 1.5,IC / mA,UCE /V,ICEO,结构示意图,1.6.1 N沟道增强型绝缘栅场效应管,1.6 绝缘栅场效应管,1. 结构和符号,第1章 1.6,结构示意图,耗尽层,S,G,D,UDS,ID = 0,D与S之间是两个PN结反向串联，无论D与S之间加什么极性的电压，漏极电流均接近于零。,2. 工作原理,(1) UGS =0,第1章 1.6,P型硅衬底,N,+,+,B,S,G,D,。,耗尽层,ID = 0,(2) 0 UGS UGS(th),N+,N
11、+,第1章 1.6,UGS,4,3,2,1,0,5,10,15,UGS =5V,6V,4V,3V,2V,ID /mA,UDS =10V,增强型 NMOS 管的特性曲线,0,1,2,3,2,4,6,UGS / V,3. 特性曲线,UGs(th),输出特性,转移特性,UDS / V,第1章 1.6,ID /mA,结构示意图,1.6.2 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管,P型硅衬底,源极S,漏极D,栅极G,衬底引线B,耗尽层,1. 结构特点和工作原理,N+,N+,SiO2,制造时,在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。,第1章 1.6,4,3,2,1,0,4,8,12,UGS =1V,2V,3V,输出特性,
12、转移特性,耗尽型NMOS管的特性曲线,1,2,3,0V,1,0,1,2,1,2,3,UGS / V,2. 特性曲线,ID,UGS,UGs(off),UDS / V,UDS =10V,第1章 1.6,ID /mA,ID /mA,N型硅衬底,N,+,+,B,S,G,D,。,耗尽层,PMOS管结构示意图,P沟道,1.6.3 P沟道绝缘栅场效应管（PMOS）,PMOS管与NMOS管互为对偶关系，使用时UGS 、UDS的极性也与NMOS管相反。,P+,P+,第1章 1.6,UGS,UDS,ID,1. P沟道增强型绝缘栅场效应管,开启电压UGS(th)为负值，UGS UGS(th) 时导通。,2. P沟道
13、耗尽型绝缘栅场效应管,夹断电压UGS(off)为正值， UGS UGS(off)时导通。,第1章 1.6,在UDS =0时，栅源电压与栅极电流的比值，其值很高。,1.6.4 绝缘栅场效应管的主要参数,1. 开启电压UGS(th),指在一定的UDS下，开始出现漏极电流所需的栅源电 压。它是增强型MOS管的参数，NMOS为正，PMOS为负。,2. 夹断电压 UGS(off),指在一定的UDS下，使漏极电流近似等于零时所需的栅源电压。是耗尽型MOS管的参数，NMOS管是负值，PMOS管是正值。,3. 直流输入电阻 RGS（DC）,4. 低频跨导 gm,UDS为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压的微变量之比称为跨导,即,第1章 1.6,另外，漏源极间的击穿电压U(BR)DS、栅源极间的击穿电压U(BR)GS以及漏极最大耗散功率PDM是管子的极限参数，使用时不可超过。,跨导是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数。,第1章 1.6,
