半导体薄膜材料设计和制备课程设计课程教学大纲课程编号：16212004总学时数：一周总学分数：1课程性质：专业必修课适用专业：应用物理学一、课程的任务和基本要求：（一）课程设置目的本课程根据半导体薄膜材料生长的物理机制，设计半导体薄膜材料生长工艺，并制备相关材料，是半导体材料制备的基础课程设计。（二）教学基本要求1、掌握制备ICPCVD法薄膜材料的工艺和方法；2、掌握磁控溅射法制备薄膜材料的工艺和方法；3、掌握溶胶-凝胶法制备薄膜材料的工艺和方法；4、掌握半导体材料基本表征技术。二、基本内容和要求： 本课程分三部分，由学生任选一部分内容。第一部分 ICPCVD法薄膜材料的工艺和方法ICPCVD等离子体的形成；ICPCVD制备硅薄膜的化学动力学；硅薄膜生长的动力学过程控制；硅薄膜XRD表征。设计后，应能达到以下要求：1、熟悉电感耦合产生等离子体的机制;2、掌握CVD法制备薄膜材料的工艺和方法;3、掌握薄膜材料的XRD表征方法。第二部分 次控溅射法制备薄膜材料的
