第十章干法刻蚀,1,刻蚀的概念:用化学或物理的方法有选择地去除不需要的材料的工艺过程称为刻蚀。由于硅可以作为几乎所有集成电路和半导体器件的基板材料，所以本章主要讨论在硅基板表面的刻蚀过程。刻蚀示意图：,刻蚀概述,2,3,刻蚀概述,刻蚀的工艺目的:把光刻胶图形精确地转移到硅片上，最后达到复制掩膜版图形的目的。它是在硅片上复制图形的最后主要图形转移工艺。刻蚀工艺分类：干法刻蚀和湿法刻蚀干法刻蚀：通过气体放电，使刻蚀气体分解、电离，由产生的活性基及离子对基板进行刻蚀的工艺过程；刻蚀精度：亚微米。湿法刻蚀：把要腐蚀的硅片放在化学腐蚀液里去除表面层材料的工艺过程；刻蚀精度：大于3微米。,4,刻蚀参数,相关刻蚀参数:,刻蚀速率刻蚀剖面刻蚀偏差选择比均匀性聚合物等离子体诱导损伤,5,1.刻蚀速率刻蚀速率是指刻蚀过程中去除硅片表面不需要的材料的速度。刻蚀速率T/t（/min)其中，T=去掉的材料厚度（或m）t=刻蚀所用时间（min）,刻蚀参数,6,刻蚀参数,2.刻蚀剖面刻蚀剖面是指被刻蚀图形的侧壁形状。两种基本的刻蚀剖面:各向同性和各向异性刻蚀剖面,具有垂直刻蚀剖面的各向异性刻蚀,湿法各向
