微机电系统技术基础,华中农业大学工学院,第3章硅集成电路工艺基础,3.1薄膜生长,3.2光刻,3.3薄膜刻蚀,第3章硅集成电路工艺基础,ICIntegratedCircuit；集成电路是电路的单芯片实现；集成电路是微电子技术的核心；,单片半导体材料,元件,连线,I/O,工艺加工,集成电路是指通过一系列工艺，在单片半导体材料上（硅或砷化镓）加工出许多元器件(有源、无源)，这些元器件按照一定要求连接起来，作为一个不可分割的整体执行某一特定的功能,第3章硅集成电路工艺基础,平面工艺的发明1959年7月，美国Fairchild公司的Noyce发明第一块单片集成电路：利用二氧化硅膜制成平面晶体管，用淀积在二氧化硅膜上和二氧化硅膜密接在一起的导电膜作为元器件间的电连接(布线)。这是单片集成电路的雏形，是与现在的硅集成电路直接有关的发明。将平面技术、照相腐蚀和布线技术组合起来，获得大量生产集成电路的可能性。,第3章硅集成电路工艺基础,3.1薄膜生长,氧化扩散离子注入化学气相淀积外延溅射蒸发,3.1.1氧化,热氧化的目的在Si衬底的表面生长一层SiO2薄膜。,SiO2薄膜的用途1、用作选择扩
