1,第四章晶体管及其小信号放大场效应管放大电路电子电路基础,2,4场效应晶体管及场效应管放大电路,4.1场效应晶体管(FET),N沟道,P沟道,增强型,耗尽型,N沟道,P沟道,N沟道,P沟道,（耗尽型）,3,一、结构,4.1.1结型场效应管,源极，用S或s表示,N型导电沟道,漏极，用D或d表示,4,1UGS0V,ID,越靠近漏极，PN结反压越大,耗尽层越宽，导电沟道越窄,沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。,8,当UDS=|Vp|,发生预夹断,ID=IDss,UDS增大则被夹断区向下延伸。此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。,ID,9,3UGS0V,ID,UGD=UGS-UDS=UP时发生预夹断,10,三、特性曲线和电流方程,2.转移特性,VP,1.输出特性,11,结型场效应管的缺点：,1.栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。,3.栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。,绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。,2.在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。,12
