,TOPCON电池技术分析 2020,晶硅电池技术-sw,目录,CONTENTS,Topcon技术介绍,Topcon技术难点,Topcon发展方向 LPCVD技术分享,01 02 03 04 05,电池技术知识分享,01,Topcon技术介绍 采用超薄介质薄膜将金属和半导体隔离，钝化硅片表面，同时薄膜超薄，可实现载 流子的隧穿效应以保证载流子的传导。这种技术被称为钝化接触技术。,01,Topcon技术介绍,图 1 TOPCon 电池结构示意图（a）、 TOPCon 截面的 TEM,起源： 隧穿氧化层钝化接触（ tunnel oxide passivated contact， TOPCon）太阳能电 池 ，是 2013 年在第 28 届欧洲 PVSEC 光伏大会上德国 Fraunhofer太阳能研究 所首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池，电池结构图如图1所示.首先在电池 背面制备一层 1 2nm 的隧穿氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅，二者共同 形成了钝化接触结构，为硅片的背面提供了良好的界面钝化。 1金属栅线； 2p+ 发
