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2.3.2、中性区与耗尽区边界的少子浓度与外加电压的关系 本小节所得的结果不仅可作为求解连续性方程时所需的 边界条件，而且在其他章节也有很重要的用途。 已知在平衡PN结耗尽区两侧边界上的空穴浓度有如下Pn( 关系：当外加电压V后：vbi (vhi -v)Pno Pn = Pno + nexpkTPPo PP = Ppo +从而得：Pn = PP exprq(Vhi叮)qvbikT ,exp在小注入条件下，Pp PPO ,因而在N型区与耗尽区的边界处，即在&处有:expkTqykT)n Po eXP同理，在-xp处有:以上两式说明：当PN结有外加电压V时，在小注入条件 下，中性区与耗尽区边界处的少子浓度等于平衡时的少子浓度 乘以exp ( qV/kT)。上式对正、反向电压均适用。假设中性区的长度远大于少子扩散长度，则可得少子浓度 的边界条件：np(- Xp)= npo eXPPn对于非平衡少子，其边界条件为，(义)=Pnoexp