欢迎共阅集成电路中的电迁移现象电迁移现象简介随着芯片特征尺寸越来越小， 集成度越来越高， 对芯片可靠性的研究也变得越来越重要， 而其中电迁移现象是影响互连引线的主要可靠性问题。在微电子器件中，金属互连线大多采用铝膜，这是因为铝膜具有电阻率低、价格低廉、与硅 制造工艺相兼容、与 SiO2 层等介质膜具有良好的粘附性、便于加工等一系列优点。但使用中也存在着如性软、机械强度低、容易划伤；化性活泼、易受腐蚀； 抗电迁移能力差等一系列问题。集成电路芯片内部采用金属薄膜互连线来传导工作电流，这种传导电流的金属在较高的电流密度作用下，沿电场反方向运动的电子将会与金属离子进行动量交换， 结果使金属离子与电子流一样朝正极方向移动， 相应所产生的金属离子空位向负极方向移动， 这样就造成了互连线内金属净的质量传输， 这种现象就是电迁移。电迁移失效机理电迁移现象是指集成电路工作时金属线内部有电流通过，在电流的作用下金属离子产生物质运输的现象。进而导致金属线的某些部位出现空洞从而发生断路，而另外一些部位由于有晶须生长
