基于电极修饰的并五苯有机场效应管特性的研究摘要有机场效应晶体管（OFET）是一种新型的有机电子元器件,近年来OFET因为具有制备工艺简单、低成本并且可与柔性衬底兼容等独特的优质特点而受到研究人员的极大重视。例如，它可在室温下加工、弯曲，成本低并且可大批量生产。经过几十年的发展已经得到了很大的进展，并成为很重要的有机电子器件之一。但是尽管目前OFET的性能初步满足了实用化要求，但制备更高性能的OFET加工技术亟待开发。近来，人们通过采用过渡金属氧化物V2O5修饰Al源、漏电极，有效提高了有机场效应晶体管的迁移率。本论文介绍了有机场效应晶体管的发展历史、应用领域及当下研究的热点问题，阐明了其结构特点、所用材料、制备方法以及工作原理。在第三章中我们制备了基于电极修饰的并五苯有机场效应晶体管，阐述了制备过程，讨论了实验结果，最后对其发展前景做出展望。关键词：有机场效应晶体管 并五苯 电极修饰 氧化钒 Based on modified electrode pentacene field-effect tube ch
