.自举式2ED020I12-F芯片在IGBT驱动电路中的应用驱动/自举/2ED020I12-F/IGBT1 引言 随着电力电子技术的发展，各种开关器件如power MOSFET、IGBT（绝缘栅双极晶体管）等功率开关器件得到越来越广泛的应用，同时各种开关器件的驱动芯片也同样得到了高度的重视。目前大多数的驱动集成电路采用直接驱动或隔离驱动的方式。隔离驱动的集成驱动芯片，如EXB841系列、TLP250等，这种芯片的特点是只能驱动单个功率管，且每路驱动都要一组独立的电源，增加了电源电路和驱动电路设计的复杂性。德国英飞凌公司生产的2ED020I12-F驱动芯片是一种双通道高压、高速电压型功率开关器件栅极驱动器，具有自举浮动电源，驱动电路简单，单片2ED020I12-F驱动芯片可同时驱动逆变电路上下桥臂，三相桥式逆变电路仅用一组电源即可。使用2ED020I12-F驱动芯片可以减小装置体积，降低成本，提高系统的可靠性。2 2ED020I12-F驱动芯片的内部结构和特点 2ED020I12-F芯片内部结构如图1所示，其中包括：逻辑逻入、电平转换、欠电压保护、
