.1. IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。2. 在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET，属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT，属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。3. 电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角的最大移相范围是_0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_，续流二极管承受的最大反向电压为_（设
