.霍尔元件的工作原理及结构如图1所示块高为1、宽为5、厚为6的半导体。存外加磁场B作用下，当商电流J流过时运动屯子受洛伦兹力的作用而偏向一侧，使该侧形成电子的积累，与它对义的侧面由于电了浓度下降。出现了正电荷。这样，在两侧面间就形成了个电场。运动电子在受洛伦兹力的同时，又受电场力的作用最后当这两力作用相等时，电子的积累达到动态平衡，这时两侧之间建立电场，称霍尔电场民，相应的电压称霍尔电压uEI。上述这种现象称霍尔效应。经分析推导得霍尔电压式中M 半导体单位体积中的载流子数； 一电子电量； K M程尔元件灵饭度，J(M一1MrJ。 二、霍尔元件的材料及结构特点 根报雀尔效应原理做成的器件贴片钽电容叫做程尔元件。霍尔元件般采用具有N型的锗、锑化钥和砷化钢等十导体单品材料制成。锑化铜元件的输出较大促受温度的影响也较大。铬元件的输小虽小，但它的温度性能和线性度却比较好。砷化姻元件的输出信号没有锑化姻元件大，但是受温度的影响印比锑化姻的要小，而且线性度也较好。因此，以砷化钡为霍尔元件的材料
