.微波晶体管放大器 前言21.场效应管和双极性晶体管模型42微波晶体管放大器三种增益73微波晶体管放大器稳定性的判断104. 小信号放大器微波晶体管放大器的设计141.双共扼匹配设计方法172.功率增益和资用功率增益圆193.噪声系数圆224.等驻波比圆245. 宽带放大器设计261.频率补偿匹配网络262.平衡放大器293.负反馈电路306.功率放大器321.大功率放大器的几个重要的参数322.微波晶体管功率放大器的设计341.用管子大信号设计功率放大器352.大信号S参数设计功率放大器353.多级放大器364.功率合成法38前言放大器在硅双极型晶体管和砷化镓MESFET之间选择晶体管。相对增益、噪声系数和功率的比较如下表。在微波集成电路中，更常采用砷化镓MESFET，这是因为砷化镓MESFET放大器的增益较高、输出功率较大、噪声系数较低。较高的增益是由于电子的迁移率较高（与硅相比）造成的；输出功率的改善则是电场较高和电子的饱和漂移速度
