.二.常见的各种氧化工艺1.热氧化工艺 热生长氧化法-将硅片置于高温下，通以氧化的气氛，使硅表面一薄层的硅转变为二氧化硅的方法。 常见的热氧化工艺类别及特点： a 干氧氧化：干氧氧化法-氧化气氛为干燥、纯净的氧气。氧化膜质量最好，但氧化速度最慢。 b水汽氧化：水汽氧化法-氧化气氛为纯净的水汽。氧化速度最快，但氧化膜质量最差。c湿氧氧化：湿氧氧化法-氧化气氛为纯净的氧气+纯净的水汽。氧化膜质量和氧化速度均介于干氧氧化和水汽氧化之间。常见的热氧化工艺：a方法：常采用干氧-湿氧-干氧交替氧化法。b工艺条件：温度：高温（常见的为1000-1200）。时间：一般总氧化时间超过30分钟。 氧化生长规律： 一般热氧化生长的二氧化硅层厚度与氧化时间符合抛物线规律。原因是：在氧化时存在氧化剂穿透衬底表面已生成的二氧化硅层的事实。2.热分解淀积法：（工艺中也常称为低温淀积法或低温氧化法）热分解淀积法-在分解温度下，利用化合物的分解和 重新组合生成二氧化硅，然后将生成的二氧化硅淀积在衬底（可为任何衬底）表面上，形
