模拟电子技术基础 复习提纲第一章 绪论1.1）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章 二极管及其基本电路3.1）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。N型半导体和P型半导体。在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。PN结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。3.2）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线）3.3）二极管的三种模型表示方法。（理想模型、恒压降模型、折线模型）。（VBE=0.7V）第四
