.三热分解淀积氧化热分解氧化薄膜工艺是利用含硅的化合物经过热分解反应，在硅片表面淀积一层二氧化硅薄膜的方法。这种方法的优点是：基片本身不参与形成氧化膜的反应，而仅仅作为淀积二氧化硅氧化膜的衬底。衬底可以是硅也可以不是硅而是其它材料片。如果是硅片，获得二氧化硅膜也不消耗原来衬底硅，而保持硅片厚度不变，这是与热氧化法最根本的区别。因为这种方法可以在较低的温度下应用，所以被称作“低温淀积”。常用的热分解淀积氧化膜反应源物质（硅化合物）有正硅酸乙脂和硅烷两种。现分别介绍如下：1正硅酸乙脂热分解淀积淀积源的温度控制在20 oC左右，反应在真空状态下进行，真空度必须在10-2133.3Pa以上，淀积时间根据膜厚决定。淀积得到的二氧化硅氧化膜不如热生长的致密。但如果在真空淀积之后经过适当的增密处理可使其质量有所改善；方法是硅片在反应炉内加热升温到850900 oC半小时左右，之后再在干燥的氮、氩或氧气氛中继续加热一段时间即可。2硅烷热分解淀积反应方程式： SiH4 + 2O2 SiO2+ 2H2O （300400 oC）以上两种热分解淀
