多弧离子度.doc

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.多弧离子镀多弧离子镀的基本原理就是把金属蒸发源 (靶源 )作为阴极 ,通过它与阳极壳体之间的弧光放电 , 使靶材蒸发并离化 ,形成空间等离子体 ,对工件进行沉积镀膜.工艺参数:1、靶源电流。靶源电流与弧斑的数目成正比。2、反应气体压强。反应气体分压的大小直接影响涂层的化学成分、组织结构及性能。3、基底负偏压。镀膜真空室内为等离子气体气氛所填充,等离子体中含有大量的离子、电子及中性粒子。当基底被施加负偏压时,等离子体中的离子将受到负偏压电场的作用而加速飞向基底。到达基底表面时,离子轰击基底,并将从电场中获得的能量传递给基底,导致基底温度升高。高的负偏压在给基底加热的同时高能量离子的溅射作用也有利于清除工件表面吸附的气体和污染物;在沉积期间,偏压又为离子提供能量使膜层与基底紧密结合。4、基底温度。基底温度的高低可以影响到基底对气体杂质的吸附、基底的硬度、渗透层的深度、膜层硬度及附着力等。根据吉布斯的吸附原理可知温度越高,基底对气体杂质的吸附越少。优点:1)阴极电弧蒸发源不产生溶池,可以任意设置于镀膜室适当的位置 ,也可以采用多个电弧蒸发源.提高沉积速率使膜层厚

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