晶体管放大电路分析及计算.doc

.晶体管放大电路分析及计算一、共发射极放大电路（一）电路的组成：电源VCC通过RB1、RB2、RC、RE使晶体三极管获得合适的偏置，为三极管的放大作用提供必要的条件，RB1、RB2称为基极偏置电阻，RE称为发射极电阻，RC称为集电极负载电阻，利用RC的降压作用，将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化，从而实现信号的电压放大。与RE并联的电容CE，称为发射极旁路电容，用以短路交流，使RE对放大电路的电压放大倍数不产生影响，故要求它对信号频率的容抗越小越好，因此，在低频放大电路中CE通常也采用电解电容器。 Vcc(直流电源): 使发射结正偏，集电结反偏；向负载和各元件提供功率 C1、C2(耦合电容): 隔直流、通交流； RB1、RB2(基极偏置电阻)： 提供合适的基极电流 RC(集极负载电阻)： 将 DIC DUC，使电流放大 电压放大 RE(发射极电阻)： 稳定静态工作点“Q ” CE(发射极旁路电容)： 短路交流，消除RE