.非晶熔石英表面等离子体刻蚀过程中的表面晶化研究作者1， 作者2， 作者3 （居中，宋体小四号，单倍行距，段前段后0行）指导教师1，指导教师2 （居中，宋体小四号，单倍行距，段前段后0行）单位, 所在地 邮编; （居中，宋体小四号，单倍行距，段前段后0行）* E-mail: （指导老师或第一作者邮箱，必须确保通过邮件，会务组能联系到作者）摘要: 本工作采用电子回旋共振(ECR)低压等离子体刻蚀技术，刻蚀非晶熔石英表面。Ar/CF4为反应气体刻蚀后再经O等离子体钝化，非晶熔石英表面出现晶化现象。晶化层约几百纳米厚。Ar/CF4在ECR的电磁场作用下产生F离子与C离子，F离子使熔石英表面的Si-O共价键断裂，并释放出O离子。C离子与O离子迅速键合生成CO2，而被断键的Si原子与四个F原子键合生成气态SiF4。熔石英原始表面被去除的同时，在新的表面留下大量不饱和Si原子。不饱和Si原子在高温条件下被O等离子钝化，形成结晶态-方石英。（仿宋10号字，单倍行距，段前段后0.5行）关键字: 非晶态熔石英;结晶态-方石英; 低压等离子刻蚀（仿宋
