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.1室温下某突变PN结的ND51017cm-3，NA=1x1016 cm-3，试求平衡状态下(1)内建电势Vbi(2)耗尽区宽度Xd(3)最大电场强度EmaxVbi=ln 2.某硅突变PN结的ND1.51015 cm-3，NA1.51018 cm-3，试求室温下(1)VKN与VKP各为多少？(2)当外加电压V0.80V时，Pn(xn)与np(-xp)各为多少?(3)内建电势Vbi为多少?3、某高频晶体管的0100当信号频率f为400MHZ时测得|w|8，且最大功率增益Kpmax=100求:(1)该晶体管的特征频率（2）该晶体管的截止频率 (3)该晶体管的最高振荡频率4、某高频晶体管0100、当信号频率f为40MH时测得其|w|5，试求(1)该晶体管的特征频率fT。(6分)(2)当信号频率分别为15MHz和60MHZ时该晶体管的|w|。5、已知Si-MOSFET具有下列参数:二氧化硅介质层厚度Tox=200nm，L12um