.相移掩膜技术的原理、应用与进展1、 概述随着大规模集成电路技术、设备和产品的不断发展，要求愈来愈高的光刻分辨率，使用更大的芯片和硅片尺寸。过去为了提高光刻分辨率，大多着眼于缩短曝光波长和提高光刻物镜的数值孔径，根据如下公式:分辨率： R=K1NA （1） 焦深： DOF=K2NA2 （2）式中为曝光波长，NA为光刻系统数值孔径，Kl和KZ为与抗蚀剂和工艺有关的常数。对于典型光刻系统Kl=0.7-1.0，KZ=0.4-0.5。从式(l)和(2)显而易见，缩短波长虽然提高了分辨率，但减小了焦深；增大NA可增大分辨率，但同样使焦深缩短。焦深是光刻中的重要因素，由于硅片的不平度、抗蚀剂厚度不均匀性以及系统的调焦、调平等限制，实用光刻焦深往往有个最低限度(如士0.5um)，如小于此限度则难以实用，在这种情况下侈谈分辨率已毫无意义。当焦深在确定实际分辨率中起主要作用时，瑞利判据就不再适用。所以在传统掩模光刻技术中，继续增大NA、减小几不可能进一步改善实际分辨率。而且，波长缩短也是有限
