1.5.1 BJT的结构简介,1.5 半导体三极管（BJT,1.5.2 BJT的电流分配与放大原理,1.5.3 BJT的特性曲线,1.5.4 BJT的主要参数,1.5.1 BJT的结构简介,半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 两种类型的三极管,发射结(Je,集电结(Jc,基极，用B或b表示（Base,发射极，用E或e 表示（Emitter,集电极，用C或c 表示（Collector,发射区,集电区,基区,三极管符号,结构特点,发射区的掺杂浓度最高,集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大,基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低,管芯结构剖面图,三极管的三种组态,共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示,共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示,共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示,BJT的三种组态,电流分配和放大原理,1. 三极管放大的外部条件,发射结正偏、集电结反偏,PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB,从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB,2. 各电极电流关系及电流放大作用,结论,1
