1.2.5 场效应三极管,场效应管,具有输入电阻高、热稳定性好、噪声低、工艺简单、易于集成等优点,FET（Field Effect Transistor,绝缘栅型IGFET（Insulted Gate Type） (或MOS) Metal-Oxide-Semiconductor,增强型MOS （Enhancement,耗尽型MOS （Depletion,每一种又可分为N沟道和P沟道管子,结型JFET （Junction Type,场效应管分类,一、绝缘栅场效应管（IGFET,增强型NMOS管,在P型衬底上扩散2个N+区，P型表面加SiO2绝缘层，在N+区加铝线引出电极,s：Source 源极,d：Drain 漏极,g：Gate 栅极,B：Base 衬底,增强型PMOS管,PMOS与NMOS管的工作原理完全相同，只是电流和电压方向不同,在N型衬底上扩散上2个P+区，P型表面加SiO2绝缘层，在二个P+区加铝线引出电极,1.增强型NMOS管的工作原理,正常工作时外加电源电压的配置,vGS0，vDS=0时,vGS=0, vDS=0,漏源间是两个背靠背相串联的PN结)，所以d-s间不可能有电流
