集成电子技术基础教程习题与习题解答-一篇3章.doc

第三章 场效应晶体管及其电路分析题1.3.1 绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.3.1（a）（d）所示。（1） 说明图（a）（d）曲线对应何种类型的场效应管。（2） 根据图中曲线粗略地估计：开启电压VT、夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS或IDO的数值。 图题1.3.1解： (1)(a)增强型N沟道MOS管，VGS(th)3V,IDO3mA；(b)增强型P沟道MOS管，VGS(th)2V,IDO2mA；(c)耗尽型型P沟道MOS管，VGS(off)2V,IDSS2mA；(d)耗尽型型N沟道MOS管，VGS(off)2V,IDSS3mA。题1.3.2 场效应管漏极特性曲线同图题1.3.1（a）（d）所示。分别画出各种管子对应的转移特性曲线iD=f（vGS）。解： 在漏极特性上某一VDS下作一直线，该直线与每条输出特性的交点决定了VGS和ID的大小，逐点作出，连接成曲线，就是管子的转