1,第1章 常用半导体器件,1.1概述,1.2半导体二极管,小 结,1.3双极型晶体三极管,1.4场效应管,第一章常用半导体器件,2,1.1概 述,1.1.1半导体的导电特性,1.1.2杂质半导体,1.1.3PN结,1.1概述,3,1.1.1 半导体的导电特性,半导体,导电能力介于导体和绝缘体之间的物质,本征半导体,纯净的半导体。如硅、锗单晶体,载流子,自由运动的带电粒子,共价键,相邻原子共有价电子所形成的束缚,1.1.1半导体的导电特性（1,4,硅(锗)的原子结构,简化 模型,硅(锗)的共价键结构,自 由 电 子,束缚电子,空穴可在共 价键内移动,1.1.1半导体的导电特性（2,5,本征激发,复 合,自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消失的过程,漂 移,自由电子和空穴在电场作用下的定向运动,在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程,1.1.1半导体的导电特性（3,6,两种载流子,电子(自由电子,空穴,两种载流子的运动,自由电子(在共价键以外)的运动,空穴(在共价键以内)的运动,结论,1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且
