2021半导体工艺化学实验报告.docx

半导体工艺化学实验报告 试验名称：硅片的清洗 试验目的：1.熟识清洗设备 2.把握清洗流程以及清洗前预预备 试验设备：1.半导体兆声清洗机（SFQ-1006T） 2.SC-1；SC-2 试验背景及原理： 清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严峻影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严峻漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。 我们这里所用的的是化学清洗。清洗对于微米及深亚微米超大规模集成电路的良率有着极大的影响。SC-1及SC-2对于清除颗粒及金属颗粒有着显著的作用。 试验步骤： 1. 清洗前预备工作： 仪器预备： 烧杯的清洗、干燥 清