第1章 半导体器件,1.1概述,1.2半导体二极管,小 结,1.3双极型晶体三极管,1.4场效应管,1.3双极型晶体三极管,1.3.1 BJT的结构及类型,1.3.2 BJT的电流放大作用,1.3.3 BJT的特性曲线,1.3.4 BJT的主要参数,1.3.5 温度对BJT的特性及参数的影响,Semiconductor Transistor,晶体管的应用举例,1.3.1 BJT的结构及类型 （Bipolar Junction Transistor,一、结构与符号,发射极 E,基极 B,集电极 C,发射结,集电结,基区,发射区,集电区,emitter,base,collector,NPN 型,PNP 型,二、分类,按材料分： 硅管、锗管,按功率分： 小功率管 500 mW,按结构分： NPN、 PNP,按使用频率分： 低频管、高频管,大功率管 1 W,中功率管 0.5 1 W,1.3.2 BJT的电流放大作用,1. 晶体管放大的条件,内部 条件,发射区掺杂浓度很高,基区很薄且掺杂浓度很低,集电结面积大,外部 条件,发射结正偏 集电结反偏,2. 晶体管放大电路的三种接法,共射,共集,共基,
