第二章,1.2.1 半导体材料与PN结,半导体器件的工作机理,影响半导体的导电性能： 温度、纯度,导电性能介于导体（如金、银等）与绝缘体（如陶瓷、橡胶）之间的材料； 主要有：Si（硅）Ge（锗）GaAs（砷化镓）Silicom Germanium Gallium arsenide,一、半导体材料及其电特性,以硅(Si)半导体材料为例,1. 本征半导体,半导体材料高度提纯后的导体称为本征半导体。纯度为99.99999%以上，成为单晶体,硅原子核外有14个电子,分三层围绕原子核运动,最外层有4个电子，受原子核的束缚力最弱。硅材料高度提纯后，其原子结构排列的十分整齐,硅原子,简化原子模型,高度提纯后的硅原子结构,本征半导体的电特性,硅单晶体原子结构排列的非常整齐,每个原子外层的四个电子与相邻四周的原子外层电子形成稳定的共价键结构,绝对零度时，价电子无法争脱本身原子核束缚，此时本征半导体呈现绝缘体特性,在室温下，本征半导体非常容易受热激发产生电子空穴对；这时的载流子浓度称本征浓度,本征浓度随温度的上升而增大，所以本征载流子浓度是温度的函数,常温下，本征硅中自由电子的浓度或空穴的浓度为硅原子浓度
