CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施(共7页).doc

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西安理工大学研究生课程论文/研究报告课程名称：器件可靠性与失效分析课程代号： 050114 任课教师：王彩琳题目： CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施完成日期： 2012 年 3 月 15 日学科：电子科学与技术学号： 1108090479 姓名：孟照伟成绩： 2012 年CMOS电路结构中的闩锁效应及其防止措施由于NMOS集成电路和双极型集成电路的功耗电流大，封装密度受到了很大限制，因此CMOS集成电路得到了迅速的发展。CMOS集成电路具有

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