功率MOSFET与双极性晶体管的性能比较及优势当前，功率MOSFET较双极性晶体管(BJT)器件更受欢迎。如果把功率MOSFET和BJT作一番比较，可以发现功率MOSFET是一种高输入阻抗、电压控制的器件。而BJT则是一种低阻抗、电流控制的器件。在功率应用中采用MOSFET具有众多好处。 我 们可以通过下列几个方面来比较一下这两种器件的优劣，首先是驱动电路，功率MOSFET的驱动电路比较简单。BJT可能需要多达20%的额定集电极电流以 保证饱和度，而MOSFET需要的驱动电流则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动。其次，MOSFET的开关速度比较迅 速，MOSFET是一种多数载流子器件，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应。 其三，MOSFET没有二次击穿失效机理，它在 温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外，MOSFET具有并行工作能力，具有正的电阻 温度系数。温度较高的器件往往把电流导向其它MOSFET，允许并行电路配置。而且还有一个好处是，MOSFET的漏电极和源极
