91第七章 SiC MOS结构的电特性及其辐照效应第七章 SiC MOS结构的电特性及其辐照效应为了使SiC MOS器件能够在高辐照环境下正常工作，栅氧化层必须具有高的击穿电场，低的漏电流，低的氧化物电荷和界面态电荷。对于SiC MOS电容的电特性研究已有一些报道7.2。在早期的研究中，所使用SiC样品中缺陷密度较大，SiC MOS C-V特性几乎看不到电容的变化，随着SiC衬底质量的提高，SiC MOS C-V曲线显示了令人满意的积累，耗尽和深耗尽区域，这为研究SiC MOS结构的辐照特性提供了条件。为了研制出能够在高辐照环境下工作的SiC MOS器件，首先就必须对SiC MOS结构能够承受辐照的能力有一个具体数量上的认识。已有文献分析了Co60辐照对SiC MOS结构的影响7.47.7，结果表明：3C-SiC MOSFET应能承受10Kgy(SiO2)的辐照剂量，但是直至目前为至，辐照对6H-SiC MOS结构电参数影响及其退火特性的研究还没有人进行过。本章通过对制备的SiC MOS C-V特性和漏电流进行系统的电学测量，分析了其电学特性及界面
