ccd成像cmos成像对比(共1页).doc

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成像过程CCD和CMOS使用相同的光敏材料,因而受光后产生电子的基本原理相同,但是读取过程不同:CCD是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移,整个电路非常复杂,读出速率慢;CMOS则以类似DRAM的方式读出信号,电路简单,读出速率高。集成度采用特殊制造工艺的CCD读出电路比较复杂,很难将A/D转换、信号处理、自动增益控制、精密放大和存储功能集成到一块芯片上,一般需要多个芯片组合实现,同时还需要一个多通道非标准供电电压。借助于大规模集成制造工艺,CMOS图像传感器能非常容易地把上述功能集成到单一芯片上,多数CMOS图像传感器同时具有模拟和数字输出信号。电 源、功 耗 和 体 积CCD需多种电源供电,功耗较大,体积也比较大。CMOS只需一个单电源(3V5V)供电,其功耗相当于CCD的1/10,高度集成CMOS芯片可以做的相当小。性能指标CMOS图像传感器与CCD传感器相比具有感光度低、信噪比高的缺点,但是其仍具有低功耗、低成本等优点。CCD技术已经相当成熟,而CMOS正处于蓬勃发展时期,虽然目前高端CMO

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