光刻胶剥离制程中的问题分析作者：马彩霞郝起林来源：文化产业2014年第12期摘 要: 光刻胶剥离制程为TFT-LCD中重要的制程，其剥离效果及洗净程度将直接影响TFT质量，本文主要阐述了TFT- LCD 生产中光刻胶剥离制程可影响产品质量的问题，并根据产线的情况对这些问题产生原因进行了分析, 对实际生产过程中出现的问题提出了相应的解决方案。关键词: 光刻胶剥离； Mura；腐蚀；光刻胶残留中图分类号：TN305.7 文献标识码：A在TFT-LCD生产的阵列段内，光刻胶剥离制程是使用有机性、碱性剥离液洗去TFT基板上的用于保护非蚀刻部分的光刻胶，是每道制程中最后一步，其质量控制点在于：光刻胶的去除能力，Mura（色差）的控制，金属层的腐蚀，Particle（细小颗粒）的控制。由于光刻胶剥离制程存在于TFT制程中的每一道，清洗的质量将直接影响后续制程，且光刻胶剥离机的Tact time（节拍）较短，只有40秒/片，产品的抽检为每1020批抽检1批，所以光刻胶剥离制程一旦出现问题，产品将影响多批，所以
