晶片化学机械研磨技术综述 （国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心 湖北 武汉430070） 1.前言 化学机械研磨（CMP），又称化学机械抛光，是机械研磨与化学腐蚀的组合技术，它借助超微粒子的研磨作用以及抛光浆料的腐蚀作用，在化学成膜和机械去膜的交替过程中去除被抛光介质表面上极薄的一层材料，实现超精密平坦表面加工。CMP技术是超大规模集成电路制造过程中的晶片平坦化的一种新技术，对集成电路、半导体产业发展有直接的影响。本文将从专利分析的角度对晶片CMP技术现状进行梳理，为晶片CMP技术进一步发展提供一些建议。 2.晶片化学机械研磨技术的国内外发展概况 2.1 国外发展历程 CMP技术在半导体工业的首次应用始于1988年，由IBM将其应用于4MDRAM的制造中，该公司也于1992年申请了晶片CMP技术的第一份专利。在此之后，经过不断的技术发展，CMP技术在全球范围内有较广泛的技术布局，图1显示了世界范围内专利申请量。 CMP的研究开发工作过去主要集中在美国，随后发展至法、德等欧洲国家，日本在CMP方面发展很快，并且还从事
