1. Si、C、C/Si,谁将成为下一代智能与敏感材料或者信息技术材料的主角，观点和理由？2. 简述集成电路芯片的制造流程。 答：集成电路芯片的制造需要通过：原料提纯单晶硅锭及硅片制造光刻与图形转移掺杂与扩散薄层沉积互联与封装等多道工序完成。3. 现代信息产业的发展对微电子技术中半导体器件的衬底材料提出了什么新的要求？答：1.晶片直径增大 2.缺陷，杂质减少 3.几何精度增加 4.开发新型材料和结构4. 简述介电材料的极化率、极化强度、介电常数、介电损耗、电导率和击穿强度等特征参数。答：极化率：？极化强度：指单位体积内电偶极矩的矢量和，。介电常数：？介电损耗：在交变电场中，每秒内、每立方米电介质消耗的能量称介电损耗W,.电导率：？击穿强度：？5. 介电材料的极化机制与工作原理，将其应用于能量存储的优势有哪些？介电材料又称为电介质，是通过感应而非传导的方式传递、存储或记录电场的作用和影响。极化机制即电介质在外加电场作用下产生宏观的电极化强度，实际上是电介质微观上各种极化机制贡献的结果，极化机制可分为可以分为：电子极化、离子极化、固有电极的取向极化
