薄膜制备方法1. 物理气相沉积法（PVD）：真空蒸镀 、离子镀、溅射镀膜2. 化学气相沉积法（CVD)：热CVD、等离子CVD、有机金属CVD、金属CVD。1、 真空蒸镀即真空蒸发镀膜，是制备薄膜最一般的方法。这种方法是把装有基片的真空室抽成真空，使气体压强达到10Pa以下，然后加热镀料，使其原子或者分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到温度较低的基片表面，凝结形成固态薄膜。其设备主要由真空镀膜室和真空抽气系统两大部分组成。保证真空环境的原因有防止在高温下因空气分子和蒸发源发生反应，生成化合物而使蒸发源劣化。防止因蒸发物质的分子在镀膜室内与空气分子碰撞而阻碍蒸发分子直接到达基片表面，以及在途中生成化合物或由于蒸发分子间的相互碰撞而在到达基片前就凝聚等在基片上形成薄膜的过程中，防止空气分子作为杂质混入膜内或者在薄膜中形成化合物。蒸发镀根据蒸发源的类别有几种:、电阻加热蒸发源。通常适用于熔点低于1500的镀料。对于蒸发源的要求为a、熔点高b、饱和蒸气压低 c、化学性质稳定，在高温下不与蒸发材料发生化学反应 d、具有良好的耐热性，功率密度
