第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)13页.doc

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第2章 半导体三极管及其基本放大电路一、填空题 21 BJT用来放大时,应使发射结处于 偏置,集电结处于 偏置;而工作在饱和区时,发射结处于 偏置,集电结处于 偏置。 22 温度升高时,BJT的电流放大系数 ,反向饱和电流 ,发射结电压 。 23用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时,;都接人负载电阻时,测得,由此说明,电路A的输出电阻比电路B的输出电阻 。 24对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用 组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望从信号源索取电流小,应选用 组态;若希望高频性能好,应选用 组态。 25 FET是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的,所以它是一个 器件。 26 FET工作在可变电阻区时,与基本上是 关系,所以在这个区域中,FET的d、s极间可以看成一个由

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