第3代半导体材料发展及建议工业和信息化部原材料工业研究所 王兴艳第3代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化锌、金刚石等。这类材料具有宽的禁带宽度（禁带宽度大于2.2ev）、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第3代半导体材料凭借着其优异的特性，未来应用前景十分广阔。一、大力发展第3代半导体的必要性和紧迫性1、积极发展第3代半导体材料利国利民。第3代半导体材料可用于制作新一代电力电子器件，应用于国民经济及国家安全保障的各个领域。一方面，从社会发展的角度，当今社会发展对于电子器件提出更高的要求，如抗辐射、高功率、高能效等，第3代半导体材料的应用可以有效满足社会发展对电力电子器件的新要求；另一方面，从国家安全角度来看，第3代半导体材料可应用于军用飞机、陆地坦克以及高性能雷达系统等军事装备。2、大力发展第3代半导体材料是有效实现我国节能降耗的有效途径。第3代半导体材料制成电子器件应用于各个领域，可有效提升效率，降低损耗。表1 SiC材料应用领域及
