第7章CVD工序全解30页.doc

第七章 CVD工序7.1 CVD工序的目的7.2 CVD工艺的基本原理7.3 CVD的设备构成和主要性能指标7.4 CVD 工序的主要工艺参数和工艺质量评价7.5特种气体供应管理系统7.1 CVD工序的目的7.1.1 CVD目的在一定压强、温度条件下输入高频电压使气体源电离形成等离子体，在基板表面发生气相化学反应，生长出各种功能薄膜。A(g) + B(g) energy C(s) + 副产物7.1.1.1 CVD film介绍FilmGasG-SiNX（GH&GL）SiH4+NH3+H2a-Si（AH&AL）SiH4+H2na-Si（NP）SiH4+PH3+H2P-SiNX（PV）SiH4+NH3+H27.1.1.2各层薄膜的功能1. G: Gate SiNx （绝缘层） 作用：防止M1与I层导通2. a-Si （半导体） 作用：导通层，电子