第二代半导体晶体砷化镓晶体6页.doc

第二代半导体晶体磷化镓单晶 砷化钾单晶是目前技术最成熟、应用最广泛的最主要的半导体材料之一。广泛用于光电子和微电子领域。在-族化合物半导体晶体中，砷化镓的电子迁移率比硅大45倍，用其制作集成电路时，工作速率比硅更快，且禁带宽度也较宽，因此它的热稳定性和耐辐射性也较好。砷化镓是直接跃迁型能带结构，它的发光效率较高，并可用来制作激光器。1.生长方法1.2 直拉法(1)生长装置直拉法生长装置如图11-2所示。 (a)磁拉法装置 (b)镓封法示意图11-2 晶体直拉法生长装置示意1-石墨坩埚；2，9-射频线圈；3，8-辅助熔炉；4-磁铁；5-高居里点合金；6-封闭的Si02容器；7-用于密封的液态镓 (2)生长过程与条件 在GaAs晶体生长的过程中，应始终保持一定的蒸汽压力。 坩埚中放人合成的GaAs多晶锭料，在低温端放砷，并保持610，在容器中保持压力为9.1l04 Pa的砷蒸气。磁拉法的磁铁也是处在610的温