目 录 C O N T E N T S 或 跃 于 渊 ： GaN将 领 跑 第 三代 化 合物 半 导 体 市 场 射 频 通 信 ： 5G通 信 驱动 技 术 升 级 ， GaN将 逐 步替 代 LDMOS 功 率 器 件 ：消 费电 子 率先突破， 中 高 压领 域或 后 来居上 投 资 建 议 及 风险 提示 3 什么是第三代化 合 物半 导 体 数据来源：聚力成 ， GaNPower， 平安 证 券研究所 第三代半 导 体是指化合物半 导 体 ， 包 括 SiC(碳 化 硅 )、 GaN（氮 化 镓 ） 、 ZnO（氧 化 锌 ） 、 GaO（ 氧 化 镓 ）、 AlN（氮化 铝 ） ， 以 及 金 刚 石等 宽 禁 带 半 导 体 材 料 （ 导 带 与 禁 带 间 能 隙 差 Eg2.3eV） 。 第三代半 导 体具有高 击 穿 电 场 、 高 热导 率 、 高 电 子迁 移 率 、 高 工 作 温 度 等 优 点 。 以 SiC和 GaN为 代 表物 质 制 作 的 器 件 具 有 更 大的 输 出 功 率 和 更 好 的 频 率 特 性 。 第一 代 半 导 体 第二
